Поверхностная концентрация - примесь
Cтраница 1
 |
Растворимость некоторых элементов в кремний в твердой фазе. [1] |
Поверхностная концентрация примеси на этапе загонки Nm [ см. ( 1) ] выбирается обычно максимальной и равной пределу растворимости примеси при данной температуре. [2]
Для уменьшения поверхностной концентрации примеси при изготовлении тонких диффузионных слоев методом диффузии из газовой фазы предлагается проводить диффузию в две стадии. [3]
Для определения поверхностной концентрации примеси используют найденные экспериментальным путем глубину залегания диффузионного p - n - перехода и значение поверхностного сопротивления, по которым строят графические зависимости поверхностной концентрации N0 / [ l / ( psx. [4]
Поскольку разброс поверхностных концентраций примеси на пластинах любой площади должен быть минимален во всем диапазоне концентраций от 1016 до 1021 атом / см3, то для достижения таких параметров существенна низкая летучесть первичного диффузанта, а затем и продуктов его термораспада: она должна быть минимально возможной при повышенных температурах. Желательно, чтобы полимерный слой превращался при термоокислении в плотную пленку с выделением при этом минимального количества дыма и сажи. [5]
Поскольку разброс поверхностных концентраций примеси н; пластинах любой площади должен быть минимален во всем диа пазоне концентраций от 1016 до 1021 атом / см3, то для достижени; таких параметров существенна низкая летучесть первичного диф фузанта, а затем и продуктов его термораспада: она должна быт ] минимально возможной при повышенных температурах. Жела тельно, чтобы полимерный слой превращался при термоокисленш в плотную пленку с выделением при этом минимального коли чества дыма и сажи. [6]
Основной вклад в изменение величины поверхностной концентрации примеси N3 вносит изменение температуры источника диффузанта. Заметное влияние оказывает изменение расхода газов ( носителя диффузанта и окислителя), что, очевидно, приводит к изменению концентрации диффузанта в потоке. Увеличение расхода газа-носителя приводит к уменьшению концентрации диффузанта в потоке, а увеличение расхода газа-окислителя - к ее увеличению. [7]
Отим способом можно плавно регулировать поверхностную концентрацию примесей в широком диапазоне. [8]
На коэффициент диффузии при данной температуре влияют поверхностная концентрация примесей, положение уровня Ферми в полупроводнике и давление паров летучего компонента соединения. [9]
 |
Зависимость концентрации примеси на поверхности кремния от средней проводимости диффузионного слоя. [10] |
Хту, поверхностное сопротивление слоя Ren, поверхностную концентрацию примеси Л и зависимость концентрации примеси от глубины. [11]
При больших толщинах пленки и малой длительности процесса диффузии поверхностная концентрация примеси в полупроводнике является постоянной, и пленку можно рассматривать как неограниченный источник диффузанта. [12]
Таким образом, распределение концентрации примеси в этом случае зависит от поверхностной концентрации примеси Ns, коэффициента диффузии примеси D и времени диффузии / и происходит по закону дополнительной функции ошибок. [13]
Этот метод используют для получения высоких пробивных напряжений, если не очень важна поверхностная концентрация примеси. Поверхностная концентрация в этом случае получается меньше, чем при диффузии в ампуле, так как происходит обратная диффузия легирующей примеси с поверхности материала полупроводника. [14]
 |
Графики распределения атомов примеси в полупро. [15] |
Страницы: 1 2 3