Поверхностная концентрация - примесь
Cтраница 3
 |
Распределение примесей в р-п - р структуре, полученной методом двусторонней диффузии. [31] |
В этом случае исходная пластина становится впоследствии телом коллектора транзистора. Через одну из поверхностей пластины проводится вначале диффузия примеси с целью создания базовой области и перехода коллектор-база. Затем через эту же поверхность в пластину проводится диффузия примеси другого типа таким образом, что ее концентрация на поверхности значительно превышает поверхностную концентрацию примеси, введенной во время первой диффузии. [32]
 |
Температурный режим сплавления с последующей диффузией из рекристаллизованного. [33] |
Создать невыпрямляющий контакт к этой области практически невозможно. Поэтому при изготовлении сплавно-диффузнонных транзисторов на той поверхности, куда будет проходить вплавление, создается диффузионный соединительный слой того же типа проводимости, что и базовая область. Проводимость соединительного слоя должна быть доста-точно высокой для того, чтобы обеспечить малое входное сопротивление. Ограничение степени легирования соединительного слоя связано только с уменьшением пробивного напряжения эмиттер - база при очень большой поверхностной концентрации примесей в этом слое. [34]
Диффузию, как правило, проводят в специальных кварцевых ампулах при 1000 - 1350 С. Способ проведения диффузии и диф-фузант ( примесь) выбирают в зависимости от свойств полупроводника и требований, предъявляемых к параметрам диффузионных структур. Процесс диффузии предъявляет высокие требования к оборудованию и частоте легирующих примесей и обеспечивает получение слоев с высокой точностью воспроизведения параметров и толщин. Свойства диффузионных слоев тщательно контролируют, обращая внимание на глубину залегания p - n - перехода, поверхностное сопротивление или поверхностную концентрацию примеси, распределение концентрации примеси по глубине диффузионного слоя и плотность дефектов диффузионного слоя. [35]
Страницы: 1 2 3