Высокая поверхностная концентрация

Cтраница 1

Высокая поверхностная концентрация упрощает технологию создания невыпрямляющих контактов, так как при этом полупроводник обладает почти металлическими свойствами, что резко снижает сопротивление контакта. [1]

Такие высокие поверхностные концентрации серы показывают, что, по всей вероятности, на поверхности образуется слой сульфида в результате химической реакции, одной из стадий которой является разрушение молекулы тиомочевины. Эта реакция может происходить либо непосредственно между металлом и адсорбированными на нем молекулами тиомочеви -: ны, либо между металлом и ионами S2 -, образованными при разложении тиомочевины. [2]

С другой стороны, высокие поверхностные концентрации бора и фосфора создают вырождение, необходимое для омических контактов с малым сопротивлением, и дают возможность получать р-п переходы на материале с малым удельным сопротивлением. [3]

Очевидно, что условием протекания второй реакции является достаточно высокая поверхностная концентрация подобных радикалов, а следовательно, и исходных восстанавливаемых молекул. Это условие будет выполняться лучше всего для тех металлов, нулевые точки которых примыкают к области потенциалов восстановления или же лежат внутри ее. Пинаконы, следовательно, не могут образовываться на платине, серебре и никеле и, напротив, их можно получить на ртути, свинце, цинке, таллии и кадмии. Эффективность действия катодов должна возрастать в порядке: ртуть цинк [ свинец, таллий, кадмий. [4]

Отметим лишь, что такие пленки, несмотря на высокие поверхностные концентрации, во многих случаях ведут себя как идеально двухмерные растворы, что облегчает термодинамическую трактовку их поведения. [5]

В химически сенсибилизированных кристаллах наряду с ограниченным числом электронных ловушек имеется высокая поверхностная концентрация ловушек для дырок. На первых стадиях освещения некоторое число электронов захватывается внутри кристалла и возникающий в результате этого объемный заряд препятствует дальнейшему захвату электронов до его нейтрализации подвижными ионами серебра. [6]

Диффузия бора, имеющего меньшую скорость диффузии, чем алюминий, предназначена для получения высокой поверхностной концентрации акцепторов. Этим обеспечивается создание омического контакта с малым сопротивлением. [7]

Новинкой является использование в качестве соединений между элементами так называемых туннелей - диффузионных мостиков с высокой поверхностной концентрацией. [8]

С) имеют высокие коэффициенты растворимости в кремнии и, следовательно, позволяют получать слои с высокой поверхностной концентрацией атомов и малым средним удельным сопротивлением. Диффузией атомов алюминия, обладающего меньшей предельной растворимостью и большим коэффициентом диффузии по сравнению с Ga и В, обеспечивается возможность получения глубоких диффузионных слоев с малым градиентом примеси у коллекторного перехода. [9]

Распределение примесей в транзисторных структурах без встречной диффузии ( а, со встречной диффузией ( б и с эпитаксиальным коллектором ( в. [10]

Первый способ состоит в предварительной диффузии примеси, не изменяющей типа основных носителей, в пластину на большую глубину и при высокой поверхностной концентрации. В качестве диффузанта при создании п-р-п-тран - зисторов используют фосфор, обладающий высокой растворимостью в кремнии и большим коэффициентом диффузии. [11]

Дет стерически препятствовать абсорбции, однако поскольку реакция зависит от активации водорода комплексом металл - алкин или металл - алкен, то слишком высокая поверхностная концентрация сильно абсорбированной молекулы алкина ингибирует активацию водорода, тогда как слишком низкая поверхностная концентрация лимитирует скорость. [12]

Поляризационные кривые на платиновом аноде. [13]

Специфическое влияние ионов хлора связывается с включением разрядившихся ионов С1 - в поверхностный слой электрода, что улучшает адсорбционные свойства родия и иридия, способствует созданию высоких поверхностных концентраций радикалов HSO4 и протеканию электросинтеза надсерной кислоты по оптимальному для этой реакции механизму электрохимической десорбции. [14]

Соотношение между температурой раствора и поверхностной концентрацией C-UN по. [15]

Страницы: 1 2 3