Критическая концентрация - мицеллообразование - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если тебе до лампочки, где ты находишься, значит, ты не заблудился. Законы Мерфи (еще...)

Критическая концентрация - мицеллообразование

Cтраница 3


Другим методом определения критической концентрации мицеллообразования является осмометрический метод. Зависимость осмотического коэффициента ( / 0) от концентрации истинного раствора изображается монотонно падающей кривой. При переходе раствора в коллоидную систему осмотическое давление резко падает в результате уменьшения числа ионов ( молекул) и увеличения количества мицелл. Поэтому также резко будет меняться и величина осмотического коэффициента.  [31]

Определить графически изменение критической концентрации мицеллообразования водного раствора олеата натрия при введении в него поверхностно-активных алифатических спиртов.  [32]

Сульфатное мыло имеет промежуточную критическую концентрацию мицеллообразования, примерно соответствующую ККМ олеата натрия.  [33]

С повышением температуры величина критической концентрации мицеллообразования увеличивается.  [34]

Наиболее распространенным методом определения критической концентрации мицеллообразования для ионоген-ных полуколлоидов является кондуктометрический метод. Известно, что при бесконечном разбавлении эквивалентная электропроводность раствора электролита зависит от подвижности его анионов и катионов. При этом кривая в координатах К f ( c) мало отличается от прямой, идущей почти параллельно оси концентраций.  [35]

При повышении концентрации амфифила выше критической концентрации мицеллообразования ( ККМ) число мицелл увеличивается, их размеры ( вблизи от ККМ) остаются практически неизменными, а концентрация истинного раствора амфифила в воде ( отдельные молекулы амфифила, окруженные водой), остается почти постоянной. У молекул амфифила с достаточно длинными углеводородными хвостами число молекул, образующих мицеллы, довольно велико - несколько десятков молекул.  [36]

Основной фактор, определяющий критическую концентрацию мицеллообразования ионогенных ПАВ - длина цепи углеводородного радикала поверхностно-активного иона.  [37]

Все это способствует мицеллообразованию и критическая концентрация мицеллообразования у неионогенных веществ ниже, чем у ионо-генных.  [38]

В табл. 1 показано изменение критических концентраций мицеллообразования сукцинимидной присадки лубризол-894 в зависимости от химического состава базового масла, в которое вводили присадку. Из данных табл. 1 видно также, как изменяются собственно-моющие ( характеризуемые электропроводностью масла) и стабилизирующие ( характеризуемые показателями 5 и Ц) свойства 1 5 % - ных растворов этой присадки.  [39]

Основные факторы, влияющие на критическую концентрацию мицеллообразования.  [40]

С увеличением содержания солей в растворе критическая концентрация мицеллообразования уменьшается.  [41]

Результаты этих измерений показывают, что критическая концентрация мицеллообразования повышается с увеличением длины полиоксиэтиленовой цепи. Это является результатом возрастания гидрофильных свойств молекулы, что находит также отражение в понижении мицеллярной массы ( веса) с 1 27 - 10s для эфира с 6 молями окиси этилена до 8 2 - 104 для эфира с 21 молями окиси этилена.  [42]

43 Зависимость плотности латекса от содержания в нем полимера.| Изменение поверхностного натяжения латекса при титровании его раствором эмульгатора137. [43]

Титрование проводят до достижения поверхностно-активным веществом критической концентрации мицеллообразования ( ККМ) в водном растворе; при этом поверхность латексных частиц полностью покрывается мономолекулярным слоем коллоидного стабилизатора. Конечную точку титрования определяют измерением поверхностного натяжения или электропроводности латекса при добавлении К нему коллоидного стабилизатора.  [44]

Концентрация ПАВ в суспензии должна соответствовать критической концентрации мицеллообразования ( ККМ), поскольку в области ККМ завершается формирование адсорбционного слоя, который приобретает максимальную механическую прочность.  [45]



Страницы:      1    2    3    4