Высокая концентрация - носитель
Cтраница 1
Высокая концентрация носителей в полупроводнике может быть получена при изготовлении р-п перехода, например при диффузии Zn. Поверхностная концентрация Zn после диффузии, обычно такая высокая, что для получения омического перехода может быть использован любой металл, например золото или алюминий. Если уровень легирования полупроводника невысок, его необходимо повысить во время формирования омического перехода. Поэтому для получения омического перехода необходимо использовать сплав, содержащий легирующую примесь в металлической основе. Нанесение сплава осуществляется следующими методами: термовакуумным осаждением, электронно-лучевым испарением и гальваническим нанесением металла. После нанесения сплава производится вжигание для введения в полупроводник легирующих добавок. [1]
Высокие концентрации невымораживаемых носителей создают значительные трудности и при исследовании глубоких уровней. [2]
Высокие концентрации невымораживаемых носителей создают значительные трудности и при исследовании глубоких уровней. С ростом температуры он ] приближается к краю зоны и при 300 - 350 К пересекает ее. [3]
Вследствие высокой концентрации носителей в халькогенидах свинца особый интерес представляют их поверхностные свойства. Монокристаллические тонкие пленки позволяют исследовать вырожденный электронный газ в приповерхностных слоях. Показано, что для описания заряжения поверхности при наличии вырождения необходимо совместное решение уравнений Пуассона и Шредингера. В исключительных случаях в расчетах поверхностных зарядов и потенциала может быть важен учет непарабо-личности энергетических поверхностей. [4]
Они имеют высокую концентрацию носителей заряда ( - 1022 см-3) и широкий диапазон изменения степени чистоты и длины свободного пробега. Многие металлы становятся сверхпроводниками при низких температурах, что приводит к дополнительным интересным явлениям. [5]
И металле в силу высокой концентрации носителей заряда контактное поле сосредоточено в поверхностном слое толщиной порядка Ю-8 см. В ПП она на неск. [6]
В металле в силу высокой концентрации носителей заряда контактное поле сосредоточено в поверхностном слое толщиной порядка 10 - 8 см. В ПП она на неск. [7]
Электроды стока и истока с высокой концентрацией носителей ( и, следовательно, с пренебрежимо малым коэффициентом Холла) расположены на противоположных концах прямоугольника. Точечные холловские зонды расположены в произвольных точках боковых граней, и ток через них отсутствует. Граничные условия для рассматриваемой геометрии состоят в том, что ток через боковые грани равен нулю, а электрическое поле, параллельное торцам, отсутствует. Предполагая полное закорачивание холловского напряжения на торцах, мы несколько переоцениваем погрешность, поскольку коэффициент Холла в электродах хотя и мал, но отличен от нуля и имеет тот же знак, что и в инверсионном слое. Электрическое поле и плотность тока считаются не зависящими от координаты z, направленной по нормали к слою. В этом же направлении считается ориентированным и магнитное поле В, так что мы имеем дело со строго двумерной задачей. [8]
Далее, в случае проводников благодаря высокой концентрации носителей приложение внешнего поля приводит к немедленной экранировке поверхности. Для полупроводников же возможно некоторое проникновение поля в вещество в зависимости от концентрации носителей в данном материале. В результате этого проникновения энергетические зоны вблизи поверхности изгибаются, что приводит к дополнительному понижению потенциального барьера силы изображения, помимо обусловленного эффектом Шотки. Присутствие дискретных зарядов в примесных уровнях и поверхностных состояниях полупроводника также приводит к тому, что свойства вещества вблизи поверхности отличаются от свойств в глубине образца, поскольку результирующая несбалансированность зарядов вблизи поверхности может привести к образованию слоя пространственного заряда существенной толщины. Распределение этого заряда также может изменяться под действием приложенного поля. [9]
 |
Вольт-амперная характери -. [10] |
Кроме того, эти полупроводники обладают высокой концентрацией носителей и высокими значениями их подвижности. При этих условиях носители заряда преодолевают запирающий слой без соударений. Следовательно, диффузионная составляющая тока мала по сравнению с дрейфовой и из полупроводника в металл переходят только те электроны, которые обладают достаточно большой кинетической энергией. Теория выпрямления для этого случая называется диодной. [11]
В последние пять лет было установлено, что высокая концентрация носителей в полупроводниках не обязательно является помехой в эксперименте; подчас она даже дает ценную информацию об основных свойствах твердого тела. В современных исследованиях зонной структуры весьма перспективно использование сильных магнитных полей. Величина поля зависит от подвижности носителей ц, и если Н / ц, то поле должно быть весьма значительным. Когда длина свободного пробега носителя больше длины его орбиты ( окружности) в магнитном поле, появляются эффекты квантования орбитального движения свободных носителей. [12]
 |
Зависимость подвижности элек тронов от состава сплавов в системах. [13] |
В сплавах всех систем установлена примесная проводимость и высокая концентрация носителей заряда. Удельная электропроводность и подвижность ( рис. 2) монотонно убывают с увеличением содержания компонентов AnBVI в растворах. Дифференциальная термоэдс и эффективная масса электронов малы по величине и слабо зависят от состава сплавов. [14]
 |
Зависимость потенциала Ed разложения CuxS ( 1 и тока короткого замыкания Isc ( 2 солнечных элементов со структурой Cu S-CdS от параметра х. [15] |
Страницы: 1 2 3 4