Высокая концентрация - носитель
Cтраница 2
Анализ температурных зависимостей электрических параметров халькоцита Cu2S свидетельствует о высокой концентрации носителей и дефектов. Вследствие этого получить Ct S стехиометрического состава практически невозможно. Действительно, из-за очень низкого потенциала электрохимического разложения происходит самопроизвольное превращение Cu2S в другие модификации с нарушенной стехиометрией. В значениях концентрации носителей, опубликованных различными авторами, существует большой разброс. [16]
 |
Изменение ширины запрещенной.| Диаграмма состояния системы PbSe - SnSe.| Зависимость периода решетки твердых растворов РЬ ] ж5п 8е от состава.| Зависимость концентрации носи. [17] |
Для монокристаллов Pb r SrizSe-в области составов 0 0 3 характерна высокая концентрация носителей заряда. Высокая концентрация дырок обусловлена наличием ионизированных собственных дефектов, связанных с отклонением состава от стехиометрического. Изотермический отжиг позволяет контролировать это отклонение. [18]
В очень тонких пленках ( менее 0 1 мкм) и при высоких концентрациях носителей ( п 31018 см-3) дебройлевская длина волны может стать сравнимой с дебаевской длиной и даже с толщиной пленки. [19]
Если избыточные носители образуются в локальной области образца, то происходит диффузия из области с высокой концентрацией носителей. [20]
На границе металл - п или металл - р обедненный слой может возникать, но благодаря высокой концентрации носителей заряда в полупроводнике толщина этого слоя очень мала ( менее 5 им), так что носители заряда легко преодолевают его за счет эффекта туннелиро-вания. [21]
Важную роль в свойствах слоен пространственного заряда играют квантовые эффекты, особенно при низких температурах и высоких концентрациях носителей. Согласно классическому решению Томаса - Ферми, плотность заряда зависит только от локального расстояния между краем зоны и уровнем Ферми и максимальна на границе раздела. [22]
Рекомбинация носителей в комплексе ПВК - ТНФ состава 1: 1 была изучена Хьюзом [76], использовавшим для получения высоких концентраций носителей импульсы света рубинового лазера. Полученные им результаты приведены на рис. 6.5.55 и могут быть объяснены с помощью простой теории рекомбинации носителей, предложенной Ланжевеном ( см. разд. [24]
В то же время диффузионная теория оказывается совсем неприменимой для таких полупроводников, как германий и кремний, обладающих высокими концентрациями носителей и высокими значениями их подвижности. Толщина запирающих слоев в этих полупроводниках оказывается меньше длины свободного пробега. В результате носители заряда преодолевают запирающий слой без соударений. [25]
Это указывает на большую роль процессов генерации носителей в р - га-переходе даже для сравнительно тонких переходов, особенно при высокой концентрации носителей в р - и в-областях. [26]
Эта величина не может быть сопоставлена со значением, полученным Эйгеном и де Майером ( см. ниже), вследствие высокой концентрации носителей заряда и соответствующей концентрации дефектов, которая должна иметь место в таких растворах. [27]
В последние годы возник повышенный интерес к исследованиям и применениям полупроводниковых соединений, с одной стороны, и к сильнолегироваиным ( имеющим высокую концентрацию носителей тока) полупроводникам - с другой. Этот интерес понятен, так как использование новых типов полупроводников значительно расширяет возможности их практического применения, позволяя подбирать необходимые параметры веществ для создания приборов. [28]
Выпрямители из карбида кремния ( SiC) используют для работы в условиях высоких температур и в настоящее время изготовляют из материалов с высокой концентрацией носителей. [29]
 |
Зависимость тока насыщения / о от удельного сопротивления р базовой области высокоэффективного солнечного элемента. [30] |
Страницы: 1 2 3 4