Высокая концентрация - вакансия
Cтраница 1
Высокая концентрация вакансий и увеличение расстояния между узлами способствуют увеличению коэффициента объемной диффузии и по вакансиям и по междоузлиям, а также коэффициента обменной диффузии. На рис. 50 показана температурная зависимость коэффициентов объемной и поверхностной диффузии и диффузии по границам зерен. [1]
 |
Декорированные вакансии и - дислокационные петли в графите. Одна из дислокационных петель пересечена плоскостью скола, и видны вакансии, лежащие в следующем нижнем слое. [2] |
Высокая концентрация вакансий, образующихся в результате инжекции, облегчает изучение притяжения вакансий к дислокационным петлям. Если нагретый кристалл расколоть близко к поверхности первоначального скола, можно обнаружить большое число дислокационных петель, но и большое число их остается еще внутри слоев, расположенных около вновь образовавшейся поверхности. Как бы ни проходило вскрытие дислокационной петли, она становится как бы окном, через которое травитель может воздействовать на вакансии, расположенные в следующем, нижележащем слое плоскости. [3]
При высокой концентрации вакансий диффузионные перемещения атомов для фазовых превращений оказываются вполне возможными. NaCl ионизируется цинк, а на поверхности накапливаются у, 5-фазы и чистая медь. [5]
 |
Зависимости концентрации п и подвижности ji носителей от температуры подложки Ти для нелегированных и легированных индием пленок CdS, полученных дискретным испарением [ ПО ]. [6] |
Сообщалось, что при высокой концентрации вакансий образуется примесная зона. By и Бьюб [127] отмечают, что в пленках, получаемых методом испарения и содержащих мелкие донорные уровни, при отсутствии освещения концентрация электронов в температурном интервале от 200 до 330 К фактически не зависит от температуры. В пленках, осаждаемых данным методом, существенное влияние на процесс переноса носителей заряда оказывают структурные свойства и электрофизические характеристики межзеренных границ. Пленки CdS непосредственно после испарения нечувствительны к воздействию света. Однако после введения в пленку CdS ( диффузионным способом) атомов меди наблюдается значительная фотопроводимость, и в условиях высокого уровня фотовозбуждения концентрация электронов оказывается более низкой, а их подвижность - более высокой, чем в пленках CdS, не содержащих меди. [7]
Указанные факторы, определяющие высокую концентрацию вакансий в поверхностном слое, связаны главным образом с особенностями формирования тонкой защитной пленки меди и определяются в основном кинетическими параметрами. При этом следует иметь в виду, что неотъемлемой особенностью тонкопле-ночных объектов и высокодисперсных систем является повышенная равновесная концентрация вакансий. [8]
Диффузионный механизм, обусловленный высокой концентрацией вакансий, контролирует разрушение тем в большей степени, чем выше температура. [9]
При синтезе феррита марганца с высокой концентрацией катионнык вакансий необходима закалка от высоких температур. [10]
Как известно, в графите, облученном нейтронами, высокая концентрация вакансий в каждом слое. Для такого образца довольно легко сформулировать механизм террасирования ямок травления. Как указывали Доусон и Фоллет [10], если окисление начинается на вакантном участке в самом верхнем слое, оно вначале ограничивается этим слоем. Дальнейшее передвижение атомов углерода вокруг таких участков в конце концов приводит к образованию подобных участков в нижнем слое. Тогда начинается окисление этого второго слоя, приводя к образованию участков в третьем слое, и такой процесс продолжается, пока не пройдет через все слои. Согласно этой интерпретации, глубина ямок зависит от распределения вакансий и от соотношения между скоростью образования вакансий и скоростью, с которой ямки, образовавшиеся в верхнем слое, перемещаются, сливаясь с соседними. [11]
Таким образом, показано, что высокие концентрации носителей4тока в карбидах связаны с высокими концентрациями углеродных вакансий или, что то же самое, с высокими концентрациями атомов не полностью связанного металла. Действительно, концентрация носителей тока, по Холлу, получается того же порядка, что и концентрация углеродных вакансий. С точки зрения металлической природы проводимости, рост концентрации непонятен: ведь с ростом дефектности по углероду падает общее число валентных электронов в кристалле, следовательно, должен быть обратный эффект - падение. [12]
Интересно в связи с этим отметить результаты [ 161, где в эвтектических сплавах Ni3Al и Ni3Nb на концах пластины б-фазы обнаружена аномально высокая концентрация вакансий. Это свидетельствует: пересыщенные твердые растворы являются разновидностью атом-вакансионной фазы, которая при распаде выделяет потоки вакансий. [13]
 |
Декорированная дислокационная петля в графите, лежащая ниже плоскости скола, и притянутые ею в плоскости скола вакансии. [14] |
О дна ко подобные скопления не встречаются так часто, как скопления вакансий в слое, лежащем выше дислокационной петли, представленной йа рис; 3; мины выше и ниже имеют реальный смысл графита потому, что дислокационная петля обычно разделяет слои с высокой концентрацией вакансий от слоев с низкой концентрацией вакансий. [15]
Страницы: 1 2 3