Высокая концентрация - вакансия
Cтраница 2
Адсорбция примесей вызывает нарушения в построении кристаллической решетки, которая содержит точечные ( вакансии и примеси), линейные ( краевые и винтовые дислокации) и плоскостные дефекты. Высокая концентрация вакансий обуславливает резкое повышение скорости диффузионных процессов, количество дефектов в кристаллической решетке увеличивается. Дефекты кристаллической решетки оказывают существенное влияние на физические свойства образующихся осадков. В некоторых случаях на электроде возникает жидкоподобная структура - металлические стекла. Не имея границ зерен, они являются однородными метастабильными системами и часто обладают более высокой коррозионной стойкостью по сравнению с кристаллическими осадками такого же химического состава. [16]
При исследовании влияния термообработки ( в области 400 - 550 С) на времена жизни т неосновных носителей тока в Ge было показано [93], что уменьшение т с увеличением температуры и длительности термообработки связано с возникновением дефектов решетки, выступающих в роли эффективных рекомбинационных центров, не влияющих заметным образом на р кристаллов. Кроме того, высокая концентрация вакансий, образующихся при таком выпадении примеси Ni или Си из узлов решетки Ge, существенно облегчает растворение атомов других примесей в его объеме. [17]
Относительная равновесная концентрация вакансий, например, в меди и золоте при комнатной температуре составляет 10 - 17 и 10 - 15 соответственно. Быстрым охлаждением можно сохранить высокую концентрацию вакансий: избыточные вакансии не успевают уйти в стоки ( дислокации) и остаются в решетке. [18]
 |
Поры в микроструктуре композита ииобиевый оплав - вольфрамовая проволока после отжига ( 1590 К, 10 ч. [19] |
Таким образом, анализ процессов изготовления показывает, что структура поверхности раздела в композитах крайне сложна. Окисные пленки, захваченные газы, высокие концентрации вакансий и дислокаций - лишь часть несовершенств, которые здесь могут встретиться. [20]
Отношение средних величин наклона для начальных условий, где взято СЛУ - 10 - 2 ат. Следовательно, уменьшение энергии активации при высоких концентрациях вакансий может происходить, по крайней мере частично, из-за того, что увеличивается важность этого скоротечного перехода. Однако, кроме того, необходимо также рассмотреть большие скопления и соответственно более сложную систему уравнений, так как образование скоплений должно играть большую роль при высоких концентрациях, чем при низких. [21]
Вследствие нарушенной стехиометрии в нем должна присутствовать высокая концентрация вакансий и разорванных связей. [22]
Такая керамика из-за дефицита кислорода в кристаллической решетке имеет высокую концентрацию вакансий кислорода и характеризуется кислород-ионной проводимостью. [23]
Такая керамика из-за дефицита кислорода в кристаллической решетке имеет высокую концентрацию вакансий кислорода и характеризуется кислород-ионной проводимостью. [24]
Приводятся результаты исследования электрических свойств карбидов переходных металлов IV группы ( Т1СЖ, 2гСж) в области их гомогенностей ( при переменном составе по углероду) в интервале температуры 20 - f - 2000 С. Показано, что высокие концентрации носителей тока в карбидах связаны с высокими концентрациями углеродных вакансий. [25]
Избыток вакансий в объеме металла образуется при закалке с высоких температур или при холодной пластической деформации. При закалке или сварке сталей значительные степени деформации и, следовательно, высокие концентрации вакансий могут возникнуть только при фазовом наклепе аустенита в процессе мартенситного превращения. С этой точки зрения такой наклеп в процессе превращения остаточного аустенита, в частности при обработке холодом, должен создавать вакансии в большем количестве, чем на ранних стадиях мартенситного превращения. [26]
Такое распределение дефектов кристаллической решетки, вероятно, может облегчить возможность их переползания при повышенных температурах в том случае, если тепловая подвижность атомов высокая и тепловая активация при пластическом течении ( испытание на разрыв) может иметь большое значение. При повышенных температурах дислокации должны двигаться вокруг окисных частиц с большой легкостью из-за высокой концентрации вакансий. Поэтому холодная деформация снижает прочность материала при температурах 350 - 500 С за счет прохождения процессов полигонизацин. В холоднодеформированном листе во время высокотемпературного отжига ( 650 С) количество дефектов кристаллической решетки значительно уменьшается. Возможность переползания дислокаций при меньшей плотности вакансий в отожженном материале значительно затрудняется. Вследствие этого при повышенных температурах предел прочности и, по-видимому, текучести холоднодеформированного листа значительно возрастает. [27]
В этом разделе основное внимание уделено отклонениям абсолютной величины теплоемкости и ее температурной зависимости от закона Неймана - Коппа. У систем Hg - Т1 [120], Bi-Pb [121] ( см. рис. 8), In-Sn [122], K-Na [123], Аи-Zn [124], bi - Sb [125] и Na-Tl [126] нулевые или малые положительные значения Дср. Это явление, вероятно, зависит от аномально высокой концентрации вакансий или пред-плавления, вызываемого примесями; это требует дальнейшего изучения. [28]
 |
Типы высокотемпературного разрушения. [29] |
Такое утверждение, как было установлено, не соответствует действительности, так как границы представляют собой переходную область между двумя смежными кристаллитами и состоят из совокупности отдельных участков с правильным строением и расположенных между ними участков с геометрически искаженной структурой. Число последних возрастает с увеличением угла раз-ориентировки между кристаллами. Вследствие неупорядоченности строения, для границ характерна повышенная подвижность атомов и высокая концентрация вакансий. [30]
Страницы: 1 2 3