Высокая концентрация - электрон
Cтраница 1
Высокая концентрация электронов на электроде-затравке, который и является той областью, где желателен рост. [1]
 |
Сродство к электрону некоторых металлов и кислорода. [2] |
Из-за высокой концентрации электронов в металле толщина слоя объемного заряда мала; и ее можно из рассмотрения исключить. Область объемного заряда в полупроводнике, из которой ушли электроны, определяется глубиной проникновения поля в полупроводник и называется областью обеднения, или истощения. [3]
В обычных металлах высокая концентрация электронов ( 2 г3 / а 7) препятствует образованию вигнеровского кристалла, так что его поиски были сосредоточены на сильнокомпенсированных проводниках и магнитных диэлектриках. [4]
Как отмечал Харвей [53], высокая концентрация электронов и дырок ( и других дефектов) может влиять на химический потенциал электронов и дырок еще и другим путем, а именно через экранирование по Дебаю и Хюккелю. При этом изменяется е, что исключает возможность использования краев зон в качестве стандартных уровней и обусловливает выбор другого стандартного состояния. В работе [53] описано, каким образом это может быть сделано. Однако следует заметить, что во многих случаях экспериментальные данные удается удовлетворительно проанализировать без учета смещения стандартных уровней. Вопрос о том, когда применять модель перескакивающего электрона, а когда зонную модель, наилучшим образом может быть решен исследованием полупроводниковых свойств кристалла: экспоненциальное увеличение подвижности с температурой является определенным указанием на возможность использования модели перескакивающего электрона. Согласно Енкеру и др. [54], выбор можно сделать на основе приведенного выше статистического выражения, из анализа зависимости термоэлектродвижущей силы от определенной по эффекту Холла концентрации носителей тока. В случае ТЮ2 Бьессем и др. [55] на основании анализа равновесия кристалл - пар решили этот вопрос в пользу модели перескакивающего электрона. По-видимому, это довольно длинный путь, но он представляется возможным. [5]
 |
Зависимость напряжения на электродах при разных формах разряда газе. [6] |
Однако в момент пробоя, вследствие образования высоких концентраций электронов и ионов, сопротивление газового промежутка резко снижается, а сила тока увеличивается в соответствии с ранее описанной картиной пробоя ( см. рис. 6) до очень большой величины. Если при этом мощность источника тока мала или сопротивление внешней цепи велико, то поддержание такой силы тока оказывается невозможным и разряд гаснет. При прекращении прохождения тока напряжение на электродах вновь повышается и опять следует пробой. Следовательно, процесс прохождения тока через газ имеет в этом случае прерывистый характер. [7]
Рассмотрим ситуацию, при которой в полупроводнике одновременно создаются высокие концентрации электронов и дырок, так что все состояния чуть выше минимума зоны проводимости заполнены электронами, а состояния чуть ниже максимума валентной зоны заполнены дырками ( фиг. Такие фотоны, проходя через твердое тело, обладают той же вероятностью вызывать переходы, что и в предыдущем случае, однако теперь единственные возможные переходы соответствуют уменьшению энергии электрона. Таким образом, падающий фотон проходит беспрепятственно и, кроме того, в. Этот процесс называется вынужденным излучением и соответствует оптическому усилению, когда часть энергии, запасенной в полупроводнике, передается полю излучения. Оптическое усиление можно использовать для получения лазерного эффекта, введя положительную обратную связь и обеспечив условия, когда усиление превышает потери. [8]
Точно так же становится понятной низкая эффективность металлов: высокая концентрация электронов проводимости в них создает наиболее благоприятные условия для потери возникшими вторичными электронами их избыточной энергии. С этой точки зрения наилучшими эмиттерами должны являться диэлектрики, в которых концентрация электронов проводимости ничтожна. [9]
Так как электроны самопроизвольно могут переходить только от электродов с высокой концентрацией электронов на электроды, где концентрация их ниже, то самопроизвольно будет протекать процесс ухода электронов с того электрода, потенциал которого ниже и который расположен в табл. 15.1 выше. [10]
 |
Плотность состояний сверхпроводника при температуре Г 0 ( сплошная кривая и Т 5 0 ( штриховая и для несверхпроводника ( штрихпунктирная.| Зависимость магнитной индукции. [11] |
Особенностью сверхпроводящего состояния является сильная корреляция между отдельными куперовскими парами, что обусловлено высокой концентрацией электронов проводимости в металле ( около 1028 м - 3), расстояние между которыми много меньше длины когерентности. Именно это обстоятельство и определяет отсутствие сопротивления сверхпроводника, для которого влияние рассеяния на примесях, дефектах и тепловых колебаниях решетки пренебрежимо мало. [12]
Спектр, возбуждаемый в плазменной струе, характеризуется интенсивным сплошным фоном, возникающим вследствие высокой концентрации электронов. Однако несмотря на интенсивный фон высокая временная и пространственная стабильность всех параметров плазменной струи позволяет надежно регистрировать излучение очень слабых линий, интенсивность которых составляет сотые доли интенсивности сплошного фона. [13]
Спектр, возбуждаемый в плазменной струе, характеризуется интенсивным сплошным фоном, возникающим вследствие высокой концентрации электронов. Однако несмотря на интенсивный фон - высокая временная и пространственная стабильность всех параметров плазменной струи позволяет надежно регистрировать излучение очень слабых линий, интенсивность которых составляет сотые доли интенсивности сплошного фона. [14]
До сих пор мы фактически не делали никаких аппроксимаций и не уточняли модель системы, пользуясь лишь основной особенностью металла - высокой концентрацией электронов. [15]
Страницы: 1 2 3 4