Высокая концентрация - электрон
Cтраница 3
Если на полупроводник падает свет, частота к-рого и соответствует собств. Sq ( & в-ширина запрещенной зоны полупроводника), го в тонком поверхностном слое образуется высокая концентрация электронов и дырок. [31]
Отметим два крайних случая влияния состава плазмы на степень ионизации определяемого элемента, концентрация которого в плазме мала. Например, температура плазмы достаточна для заметной ионизации определяемого элемента но имеются значительные количества других легкоионизуемых компонентов, что обеспечивает высокую концентрацию электронов. [32]
Отметим два крайних случая влияния состава плазмы на степень ионизации определяемого элемента, концентрация которого в плазме мала. Например, температура плазмы достаточна для заметной ионизации определяемого элемента, но имеются значительные количества других легкоионизуемых компонентов, что обеспечивает высокую концентрацию электронов. [33]
Ввиду малого молекулярного веса, многократное ударное сжатия водорода сопровождается относительно слабым его разогревом - характерные значения температуры даже при максимальных давлениях 0 1 - 1 ТПа не превосходят Т 104 К, что благоприятствует режиму холодной ионизации. В опытах реализован широкий спектр плазменных состояний водорода, сжатого до плотностей р - 0 01 - 1 2 г-см-3 и разогретого до Т - Ю4 К при давлениях р 1 5 ТПа с развитой ионизацией, OL 1, и высокой концентрацией электронов, пе - 2 1023 см-3. При максимальных сжатиях плазма является вырожденной, пеА3 200, и сильнонеидеальной по отношению к кулоновскому ( 7 - 10) и межатомному ( nar3 - 1) взаимодействиям. [34]
 |
Потенциалы ионизации атомов элементов. [35] |
С увеличением температуры продуктов сгорания концентрация электронов увеличивается. Высокую концентрацию электронов в продуктах сгорания могут обеспечить атомы щелочных металлов, так как потенциалы ионизации у этил химических элементов наиболее низкие. [36]
Число электронов и ионов в плазме практически одинаково, и объемный отрицательный заряд электронов в приборе оказывается почти скомпенсированным объемным зарядом положительных ионов. Поэтому он не может оказывать ограничивающего действия на прохождение тока в лампе, как в высоковакуумном диоде. Вследствие высокой концентрации электронов и ионов плазма обладает значительной проводимостью, поэтому падение потенциала на разрядном промежутке очень мало ( 0 2 - 0 5 В / см), а потенциал плазмы примерно равен потенциалу анода. [37]
При ступенчатом возбуждении электрон сталкивается с уже возбужденным атомом, и энергия электрона должна быть достаточна для ионизации атома. Для осуществления ступенчатого возбуждения нужна высокая концентрация электронов. [38]
Свободные электроны и дырки быстро термализуются, распределяясь в основном вблизи дна зоны проводимости и потолка валентной зоны. Однако в таких полупроводниках, как германий и кремний, дну зоны проводимости и потолку валентной зоны соответствуют различные значения волнового вектора, благодаря чему коэффициент рекомбинации оказывается малым. Таким образом, при низких температурах может установиться высокая концентрация термализованных электронов и дырок. [39]
Тейлором и Амбергом ( 1961) было найдено, что пропускание ИК-излучения окисью цинка очень чувствительно к вакуумированию при повышенной температуре. Обработка увеличивает дефектную структуру твердого тела и приводит к высокой концентрации электронов проводимости. Нагревание с кислородом, который действует как ловушка электрона, восстанавливает пропускание образцом инфракрасного излучения. [40]
 |
Изменение температур плавления в рядах d - эле. [41] |
Таким образом, эти элементы обладают в кристаллическом состоянии не чисто металлической связью, а ковалентно-ме-таллической. Поэтому они являются тугоплавкими и твердыми. Однако по электрофизическим свойствам ( высокая электрическая проводимость, отрицательный температурный коэффициент электрической проводимости, высокая концентрация электронов проводимости) переходные элементы относятся к типичным металлам. [42]
 |
Температурные зависимости подвижности электронов и дырок в антимониде индия с различной степенью легирования. [43] |
Максимальная подвижность электронов в InSb при 300 К, равная 7 8 - 104 см2 / ( В-с), сохраняется в некомпенсированном материале вплоть до концентрации доноров порядка 1016 см-3. Абсолютно наибольшее значение подвижности электронов, равное 1 2 - 106 см3 / ( В-с), наблюдалось при 77 К в образцах InSb с концентрацией доноров 8 - Ю12 см-3. В сверхчистом веществе подвижности, как правило, меньше, так как такого сорта кристаллы содержат взаимно компенсирующие друг друга дефекты, которые понижают подвижность вследствие ионного рассеяния. Кроме того, при высокой концентрации электронов последние экранируют положительные ионы, снижая их влияние на рассеяние. Поэтому при относительно высокой концентрации носителей подвижность может возрастать вследствие проявления эффекта экранирования. [44]
При контакте происходил переход части электронов из одного металла в другой; потенциалы металлов менялись так, что верхний уровень энергии электронов оказывался одинаковым в обоих металлах. При этом существенно, что из-за высокой концентрации электронов необходимый скачок потенциала ( контактная разность потенциалов) обеспечивается переходом малой части электронов через тончайший поверхностный слой соприкасающихся металлов. [45]
Страницы: 1 2 3 4