Избыточная концентрация - неосновной носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Прямое включение симметричного р-л-переходя. [1] |
Избыточные концентрации неосновных носителей заряда на границах - - перехода ( Др, Апр) экспоненциально растут с увеличением прямого напряжения. [2]
Отношение избыточной концентрации неосновных носителей заряда в базе вблизи р-и-перехода к равновесной концентрации основных носителей заряда называют уровнем и н - ж е к ц и и. Уровень инжекции определяется не только токами, протекающими через переход, но и геометрией перехода и физическими свойствами полупроводника. [3]
Из (64.22) видно, что избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается ( увеличивается при 8р ( 0) 0) по экспоненте подобно тому, как это было в случае линейной рекомбинации. [4]
Из (64.22) видно, что избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается ( увеличивается при бр ( 0) 0) по экспоненте подобно тому, как было в случае линейной рекомбинации. [5]
 |
Свечение на поверхности диода из. [6] |
В слабом электрическом поле распределение избыточной концентрации неосновных носителей заряда определяется диффузией, в сильном - дрейфом. [7]
Диффузионная длина - расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз. [8]
Так как величина Ьр0 должна иметь размерность времени, то, обозначая т: п ( Ьрп) 1 (4.21), получим закон релаксации избыточной концентрации неосновных носителей заряда ( электронов в полупроводнике р-типа) по экспоненциальному закону (4.19), но среднее время жизни электронов в этом случае связано соотношением (4.21) с концентрацией основных носителей-дырок. [9]
Важным параметром полупроводниковых материалов является также диффузионная длина L - расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз. Диффузионная длина неосновных носителей заряда является важной характеристикой полупроводника, зависящей от наличия в нем примесей и совершенства кристаллической решетки. [10]
Дря ( х) - постоянная составляющая избыточной концентрации неосновных носителей, зависящая только от координаты; prt ( x) exp / ( D - переменная составляющая избыточной концентрации неосновных носителей заряда, зависящая как от координаты, так и от времени. [11]
 |
Схема для определения времени жизни по кинетике фотопроводимости. [12] |
Коллекторный зонд устанавливается в некоторой точке на плоской поверхности нитевидного образца, по которой совершает колебательные движения световой луч. Зависимость тока коллектора от времени, определяемая величиной избыточной концентрации неосновных носителей заряда в области точечного контакта, будет описываться двумя экспоненциальными законами вида const-e - 9l z, где величины Gj и 92 различны и соответствуют одна - случаю движения светового пятна к коллектору, а вторая - случаю движения светового пятна от коллектора. Решение уравнения непрерывности дает выражение для величин 6г и 92 через рекомбинационные параметры, и можно найти, что время жизни неосновных носителей заряда выражается как т 6j - 02, а диффузионная длина L, - оУв, где v - скорость движения светового пятна относительно коллектора. [13]
В режиме насыщения триод может оставаться в открытом состоянии в течение некоторого времени после выключения сигнала насыщения в цепи базы. Это объясняется тем, что при насыщении триода в его базе появляется избыточная концентрация неосновных носителей заряда. Так как при насыщении потенциал коллектора мал, то после выключения сигнала тока в цепи базы в течение некоторого времени происходит рассасывание неосновных носителей тока путем рекомбинации и этим как бы удлиняется действие входного сигнала. При этом время выключения триода получается примерно в 2 - 3 раза больше, чем время его включения. В режиме насыщения коллекторная цепь не в состоянии собирать все неосновные носители ( дырки), инъектируемые эмиттером, и поэтому в базе накапливается их избыточное число. В режиме насыщения напряжение между эмиттером и коллектором UK ( а также 17бэ и икб) весьма мало и составляет величину порядка 0 05 - 0 1 в. При этом сопротивление постоянному току в цепи коллектора составляет величину порядка 1 - 25 ом, а у мощных триодов даже доли ома. Так как падение напряжения между двумя любыми электродами триода мало, то это в ряде случаев позволяет считать насыщенный триод узловой точкой с общим потенциалом всех электродов, и триод как бы стягивается в точку. [14]
При выключении входного напряжения ( от - 6 в до 0) триод быстро выключается, так как на базе его устанавливается запирающее напряжение 1 8 в. При большом сигнале на входе, открывающем триод, происходит насыщение триода, вследствие чего появляется избыточная концентрация неосновных носителей заряда в базе. При низком потенциале между эмиттером и коллектором, в режиме насыщения, не только эмиттер, но и коллектор инжектируют неосновные носители, избыточная концентрация которых сравнительно медленно исчезает после выключения триода в процессе рекомбинации. [15]
Страницы: 1 2