Избыточная концентрация - неосновной носитель - заряд
Cтраница 2
Яркость и мощность излучения во многом определяются конструкцией светодиода. Чем больший ток можно пропускать через диод при допустимом его нагреве, тем больше яркость и мощность излучения: увеличение их с ростом тока обусловлено тем, что интенсивность спада избыточной концентрации неосновных носителей заряда в результате рекомбинации пропорциональна начальной концентрации последних, которая тем больше, чем активнее протекает процесс инжекции, а следовательно, чем больше ток / пр. [16]
Работа переключающих схем а плоскостных транзисторах, как правило, - происходит при больших управляющих сигналах, амплитуда которьих достаточна для полного открывания транзистора. В этом случае поведение транзистора отличается от работы в обычных усилительных схемах низкой частоты. Это обуславливается тем, что при полном открывании транзистора в его базе появляется избыточная концентрация неосновных носителей заряда, а так как при этом потенциал коллектора ( по отношению к эмиттеру) мал, то после выключения входного то ка неосновные носители продолжают в течение некоторого времени рекомбинировать и тем самым как бы удлиняют время действия входного импульса. [17]
Величину tM называют временем релаксации Максвелла, она определяется удельной электрической проводимостью вещества. Таким образом, в результате проводимости объемный заряд, введенный в полупроводник, существует в среднем в течение времени тм. Но отсюда вытекает важнейший для понимания многих вопросов физики полупроводников и полупроводниковых приборов, связанных с неравновесными носителями заряда, вывод: если создать в полупроводнике избыточную концентрацию основных носителей заряда, то объемный заряд и избыточная - проводимость исчезнут в среднем через тм; но если создать избыточную концентрацию неосновных носителей заряда, то благодаря релаксации Максвелла их объемный заряд будет скомпенсирован основными носителями заряда через тм, а избыточная концентрация неосновных и основных носителей заряда будет существовать в течение времени жизни i неравновесных носителей заряда. Таким образом, неосновные и основные неравновесные носители заряда играют принципиально различную роль в изменении физических свойств полупроводника, поэтому обычно говорят об инжек-ции или экстракции только неосновных носителей заряда. [18]
 |
Обратное включение еимметрич - ЖСНИЯ Д ( р фк - f - КцОр. Дырки. [19] |
Фк р-п переход, по существу, исчезает. Объемный заряд уменьшается, так как часть дырок перебрасывается через границу из р-в n - область, а часть электронов из п-ъ р - область. Таким образом, с подключением напряжения 1 / пр возникает избыточная концентрация неосновных носителей в слоях полупроводника, прилегающих к границе перехода. Избыточная концентрация неосновных носителей заряда на границах р-п перехода ( Др; Дпр) экспоненциально растет с увеличением прямого напряжения. [20]
Страницы: 1 2