Равновесная концентрация - дырка
Cтраница 1
 |
Структурная схема тиристора.| Диаграммы энергетических зон тиристора при 11Л 0 ( а и. [1] |
Равновесная концентрация дырок в базе р-типа составляет 10м ч - 1017 см-3. Толщина базы в зависимости от типа прибора колеблется в пределах 10 - ь 30 мкм. [2]
 |
Деление расчетной модели транзистора на области. [3] |
Равновесная концентрация дырок пр на границе коллекторного перехода в базе равна равновесной концентрации электронов на границе перехода в коллекторе. [4]
 |
Образование аитизапорного ( а, б и запорного ( в слоев в месте контакта полупроводника с металлом. [5] |
Рро - равновесная концентрация дырок в объеме; р ( х) положительна для антизапориого слоя и отрицательна для запорного слоя. [6]
Общее увеличение равновесной концентрации дырок вызывает повышение предельного тока диффузии дырок. [7]
Здесь рп - равновесная концентрация дырок в - области. [8]
 |
Влияние температуры на потенциал анодного растворения германия ге-типа.| Влияние температуры на потенциал анодного растворения германия р-типа. [9] |
Повышение температуры увеличивает равновесную концентрацию дырок в германии n - типа и тем самым способствует его растворению. [10]
Области существования реком-бииацмонных волн заштрихованы; , п - равновесные концентрации дырок и электронов; тд, т, - их времена жизни. [11]
Особую роль в уменьшении нелинейности играет тот факт, что равновесная концентрация дырок в собственном полупроводнике намного превышает их равновесную концентрацию в электронных полупроводниках. Соответственно обратный ток, определяемый этой концентрацией ( см. стр. [12]
 |
Временные диаграммы. [13] |
Здесь и далее полагаем рп Рп ( х, О-Рпо - равновесная концентрация дырок; Dp, tp - коэффициент диффузии и время жизни дырок. [14]
Исходя из теории Френкеля, можно предположить, что при данных температуре и давлении существует равновесная концентрация дырок в неоднородной жидкости в неупорядоченной фазе. [15]
Страницы: 1 2