Cтраница 2
Если к диоду приложено напряжение ип 0, то контактная разность потенциалов мкопт в n - p - переходе определяется отношением равновесных концентраций дырок в п - и р-материалах. [16]
Если к диоду приложено напряжение ип р 0, то контактная разность потенциалов ( конт) в л - р-переходе определяется отношением равновесных концентраций дырок в п - и р-материалах. [17]
Такие качественные изменения наступают тогда, когда высота потенциального барьера уменьшается примерно до фг, а граничная концентрация дырой в б а з е Рб ( 0) делается сравнимой с равновесной концентрацией дырок в эмиттере рэо. Анализ показывает [4.], что в области таких сверхвысоких уровней инжекции ( когда б 0 1 Р п / Я5о) вольт-амперная характеристика перестает быть экспоненциальной, постепенно приближаясь к степенной. [18]
Если эмиттерный переход закорочен с базой, а базовый контакт омический, то при любом распределении примесей в базе ток эмиттера будет по абсолютной величине один и тот же при симметричном отклонении от равновесной концентрации дырок на коллекторном переходе. [19]
Скорость возрастания числа дырок в единице объема равна разнице скоростей генерирования и рекомбинации дырок в единице объема плюс разность дырочных токов, входящих в единицу объема и выходящих из нее, причем рп - тепловая равновесная концентрация дырок в - материале, а т - их эффективное время жизни. [20]
Скорость возрастания числа дырок в единице объема равна разнице скоростей генерирования и рекомбинации дырок в единице объема плюс разность дырочных токов, входящих в единицу объема и выходящих из нее, причем рл - - тепловая равновесная концентрация дырок в л-материале, а тр - - их эффективное время жизни. [21]
Пусть концентрация неравновесных электронов п равна и0 Аге, где п0 - равновесная концентрация электронов. Аналогично пусть рр0 Др, где р0 - равновесная концентрация дырок. [22]
Lp - диффузионная длина дырок, связанная с их временем жизни tp соотношением: Lp У Df; p, Ри - равновесная концентрация дырок в базе. Если левый переход инжектирует дырки в л-область и они в результате диффузии достигают правого перехода, то эти дырки захватываются полем запорного слоя коллекторного перехода и втягиваются в его / - облаеть. [23]
Рассмотрим этот процесс несколько подробнее. На рис. 9.12 0 6 схематически изображены распределения избыточных концентраций электронов и дырок в базовых слоях р2 - и ni - типа в окрестности границы Хгр, лежащей между включенной и невключенной областями тиристора. Избыточные концентрации электронов и дырок в каждой базе приняты равными друг другу, что соответствует выполнению в базовых слоях условия злек-тронейтральности. На этих же рисунках пунктиром показаны равновесные концентрации дырок в р2 - базе рп, и электронов в Ирбазе nni, причем рРанамного больше пп как это имеет место в реальных тиристорах. [24]
Напомним, что такая зависимость является следствием распределения Больцмана, которое сохраняется до тех пор, пока область р-п перехода находится в квазиравновесном состоянии ( см. стр. Естественно, что с ростом тока условие ( 2 - 17) рано или поздно нарушается, и тогда соотношения ( 2 - 13), а значит, и граничное условие ( 2 - 28а) теряют силу. Такие качественные изменения наступают тогда, когда высота потенциального барьера уменьшается примерно до фг и граничная концентрация дырок в базе Рб ( 0) делается сравнимой с равновесной концентрацией дырок вэмиттере рэо. [25]