Равновесная концентрация - носитель
Cтраница 1
Равновесная концентрация носителей - концентрация свободных электронов и дырок в полупроводнике, обусловленная динамическим равновесием процессов их тепловой генерации и рекомбинации. [1]
Равновесная концентрация носителей - концентрация свободных электронов и дырок в полупроводнике, обусловленная динамическим равновесием процессов их тепловой генерации и рекомбинации. Генерация носителей происходит благодаря тепловым колебаниям атомов кристалла полупроводника, причем вылет электрона из атома сопровождается появлением дырки, так что генерируются пары электрон - дырка. Темп генерации возрастает с повышением температуры. [2]
 |
Энергетическая диаграмма и графики распределения Ферми - Дирака для беспримесного полупроводника при различных температурах.| Принцип дырочной проводимости. [3] |
Это условие называют услтием равновесной концентрации носителей в собственном полупроводнике. [4]
Рассмотрим образование р-и-перехода при равновесной концентрации носителей. Допустим, что имеется два примесных полупроводника ( рис. 3.4): один - типа, другой р-тяпа. Сблизим их до непосредственного контакта одного с другим. [5]
 |
Сближение двух образцов примесных полупроводников различного типа электропроводности при N, Nli.| Образование р-п перехода. [6] |
Рассмотрим образование р-п перехода при равновесной концентрации носителей. Допустим, что имеется два примесных полупроводника ( рис. 3.4), один n - типа, другой р-типа проводимости. Сблизим их до непосредственного контакта одного с другим. [7]
При высоком уровне возбуждения в полупроводнике равновесные концентрации носителей п0, р0 и ( как мы предположим) от0 пренебрежимо малы по сравнению с соответствующими неравновесными концентрациями Д, Др и Дот и, следовательно, Д ая, Ьр зр и Дот я от. [8]
Замечательное свойство примесных полупроводников в условиях равновесной концентрации носителей состоит в том, что при данной температуре выражение (2.6) имеет постоянное числовое значение. [9]
В любом полупроводнике при фиксированной температуре произведение равновесных концентраций носителей заряда есть величина постоянная, равная квадрату собственной концентрации. [10]
Здесь Ц - дебаевская длина, вычисленная для равновесной концентрации носителей пд в полупроводнике. [11]
 |
Зависимость времени жизни от.| Зависимость времени жизни от. [12] |
При постоянной концентрации центров рекомбинации т убывает с ростом равновесной концентрации носителей. На рис. 13 показана зависимость т от концентрации электронов я0 или дырок рй в германии. [13]
Теперь необходимо рассмотреть поведение полупроводников, в которых возникли отступления от равновесных концентраций носителей тока, равные Are и Др. Ясно, что, если причина, порождающая эти отступления, устранена, то концентрации через некоторое время вновь достигнут своих равновесных значений. [14]
Основная особенность фотоэлектрических явлений состоит в том, что под действием внешнего светового возмущения происходит изменение равновесных концентраций носителей тока. Наличие избыточных носителей тока определенным образом сказывается на явлениях переноса. [15]
Страницы: 1 2 3