Равновесная концентрация - носитель
Cтраница 2
Так как ц и ц / являются величинами отрицательными, то из (6.8) и (6.9) вытекает, что равновесная концентрация носителей в зоне тем ниже, чем дальше от нее отстоит равновесный уровень Ферми. [16]
Из этих уравнений видно, что при отсутствии электрического тока возникающее в результате диффузии статическое электрическое поле Е будет тем меньше, чем больше равновесные концентрации носителей п0 и ра, поскольку дрейфовый ток создается и электронами и дырками. Это означает, что процесс диффузии электронов и дырок происходит свободно, как диффузия неравновесных нейтральных пар электрон - дырка. Если теперь к образцу, в котором созданы неравновесные пары электрон - дырка, приложить внешнее электрическое поле, то они будут дрейфовать в этом электрическом поле с постоянной скоростью. Очевидно, что совместная диффузия и дрейф электронов и дырок при условии электронейтральности характеризуется эффективной дрейфовой подвижностью НЕ и эффективным коэффициентом диффузии D, одинаковым для электронов и дырок. Величины ЦЕ и D называют также биполярной дрейфовой подвижностью и биполярным коэффициентом диффузии. [17]
Для системы твердых растворов InAs-CdTe минимум зоны проводимости находится вблизи состава 0 99 InAs - 0 01 CdTe [6], поэтому для определения равновесной концентрации носителей тока вырезались образцы данного состава. [18]
Теория и опыт показывают, что результат зависит от того, является ли фотопроводимость небольшой добавкой к проводимости, обусловленной 1епловым возбуждением - темновой проводимости, либо же фотоэффект является основным поставщиком носителей тока в кристалле. Равновесная концентрация носителей тока определяется в результате конкуренции двух процессов - процесса возбуждения, зависящего от интенсивности облучения L, и процесса обратной рекомбинации, зависящего от общей искомой равновесной концентрации. [19]
Следует отметить, что реальное распределение носителей несколько отличается от линейного закона, что объясняется процессом рекомбинации некоторого числа дырок с электронами. На рис. 6.4 индексом О обозначены равновесные концентрации носителей. [20]
Спектральные характеристики некоторых фоторезисторов 4.1. Схематиче-показаны на рис. 4.2. Высо - екая конструкция фото-кую селективность и избиратель - резистора ность спектральной чувствительности удается получить лишь у фоторезисторов, изготовленных на основе монокристаллов, поскольку при всех прочих равных условиях они наиболее совершенны и однородны по структуре. Для повышения фоточувствительности резисторы иногда охлаждают, уменьшая тем самым равновесную концентрацию носителей тока. При этом изменяется ряд параметров. [21]
Концентрации зарядов обоих знаков равны. Это может произойти в полупроводнике с проводимостью, близкой к собственной, когда равновесные концентрации носителей можно считать равными нулю. [22]
Под действием бомбардирующих частиц происходят смещения упорядочение расположенных атомов ( или ионов), вследствие чего в кристаллической решетке образуются стабильные и нестабильные дефекты двух типов: пустые узлы и ионы, внедренные в междоузлия. Эти дефекты, как и химические примеси, изменяют энергетический спектр электронов, что ведет к изменению равновесной концентрации носителей тока, создаваемой термиче ским возбуждением. Работа, которую нужно совершить для удаления атома из узла решетки германия, составляет примерно 25 - 30 эв, п поэтому при бомбардировке этого полупроводника быстрыми тяжелыми частицами смещения атомов ( или ионов) из узлов решетки производятся не только са-мимн бомбардирующими частицами, но и теми первично смещенными атомами, которые получили энергию, достаточную для вторичных смещений других атомов решетки. Это объясняется тем, что большая часть созданных облучением дефектов решетки очень быстро залечивается после прекращения облучения, а соответствующим отжигом удается даже полностью восстановить исходное состояние образца. [23]
Мы рассмотрели большое число предельных случаев, относящихся к рекомбинации через ловушки одного сорта, для которых в той или иной мере удается провести количественное описание. Хотелось бы подчеркнуть, что все различие большого числа рассмотренных частных случаев заключается, по существу, в перестановке членов, определяющих концентрации ловушек М, равновесные концентрации носителей П0 ( р0) и концентрации неравновесных носителей п ( Др) в неравенствах, определяющих соотношение между ними. [24]
 |
Энергетическая диаграмма диэлектрического или вакуумного зазора с учетом пространственного заряда. [25] |
Между ТОПЗ, выражаемым законом Чайльда ( 4 - 194), для вакуумного и диэлектрического зазоров имеется принципиальное различие. В вакуумном зазоре вплоть до области насыщения имеет место нелинейный закон трех вторых. Пц - равновесная концентрация носителей в диэлектрике), равновесные носители успевают перераспределиться и скомпенсировать заряд инжектированных носителей. [26]
 |
Переходный процесс выключения вентиля в цепи с активно-индуктивной нагрузкой.| Распределение концентраций дырок в базе вентиля в различные моменты времени при включении. [27] |
В дальнейшем при увеличении величины Qo скорость рекомбинации возрастает и при достижении зарядом Qo установившегося значения все дырки, инжектируемые в базу, будут рекомбинировать. Процесс установления равновесной концентрации избыточных носителей зависит от толщины базы. Для вентилей с широкой базой равновесная концентрация носителей - устанавливается сначала у границы p - n - перехода и лишь спустя некоторое время - в глубине базы. [28]
При этом концентрации электронов и дырок в полупроводнике одинаковы и называются равновесной концентрацией носителей, а область С. [29]
Рассмотренные механизмы прохождения тока характерны для тонких диэлектрических пленок. В случае толстых пленок на прохождение тока начинают влиять процессы, протекающие в объеме пленки. Диэлектрик характеризуется малой концентрацией носителей заряда, поэтому электропроводность диэлектрической пленки может сильно изменяться при ннжекции в пленку носителей заряда. Как правило, уровень ннжекции превышает равновесную концентрацию носителей в диэлектрике, поэтому прохождение тока через диэлектрические пленки связано с инжектированными носителями заряда. [30]
Страницы: 1 2 3