Равновесная концентрация - дефект
Cтраница 1
 |
Дефекты по Френкелю ( а и по Шоттки ( б. [1] |
Равновесная концентрация дефектов в кристалле зависит прежде всего от температуры, так как с ростом температуры увеличивается число атомов, энергия которых оказывается достаточной для преодоления связи с соседями и образования дефекта. [2]
Равновесные концентрации дефектов по Френкелю или Шоттки ( возможно также наличие в кристалле дефектов обоих типов) определяются величинами свободных энергий образования дефектов. Получим соответствующие зависимости в предположении, что дефекты можно считать невзаимодействующими. И все же для реальных ионных кристаллов при температурах заметно ниже температур плавления приближение дает удовлетворительные результаты. [3]
 |
Дефекты в простом кубическом кристалле. [4] |
Равновесная концентрация дефектов определяется температурой кристалла. [5]
Равновесные концентрации дефектов по Френкелю или Шоттки ( возможно также наличие в кристалле дефектов обоих типов) определяются величинами свободных энергий образования дефектов. Получим соответствующие зависимости в предположении, что дефекты можно считать невзаимодействующими. И все же для реальных ионных кристаллов при температурах заметно ниже температур ния приближение дает удовлетворительные результаты. [6]
Равновесная концентрация дефектов данного сорта при данной температуре будет той или иной в зависимости от всей предыдущей истории решетки. Иначе говоря, она зависит от биографии образца: от способа его приготовления и от того, каким воздействиям подвергался образец на протяжении всей своей предшествующей жизни. [7]
Вычисление равновесных концентраций дефектов является важнейшей и вместе с тем одной из наиболее простых задач теории разупорядоченности твердых тел. Решению этой задачи для разных типов твердых тел посвящены настоящая и две последующие главы. [8]
Аналогично вычисляются и равновесные концентрации френ-келевских и антифренкелевских дефектов. [9]
Как оказалось, результат расчета равновесных концентраций дефектов весьма чувствителен к выбору исходных данных, в частности константы распределения серы между твердой и газообразной фазами и положения уровня V zn - Это обстоятельство резко ограничивает произвол в выборе неизвестных величин поскольку вычисленные концентрации дефектов должны соответствовать совокупности экспериментальных данных, относящихся к оптическим, электрическим и магнитным свойствам фосфоров. Следовательно, термодинамический расчет может быть использован для приближенной оценки неизвестных констант. Здесь имеет место определенная аналогия с расчетами равновесия в газах при высокой температуре. При этом результаты эксперимента используются для уточнения исходных данных. [10]
 |
Концентрация дефектов пары вакансия - межузельный ион. [11] |
Из приведенных уравнений следует, что равновесная концентрация дефектов по Шоттки и Френкелю является экспоненциальной функцией температуры и энергии активации. Возрастание температуры и соответственно уменьшение энергии активации приводят к увеличению равновесной концентрации дефектов. В табл. 10 приведены концентрации дефектов в зависимости от температуры и энергии активации. [12]
Задача состоит в том, чтобы определить равновесную концентрацию образующихся дефектов при заданных условиях - температуре Т и парциальном давлении паров хлористого цинка pzncv Общий подход к решению этой задачи такой же, как при анализе теплового разупорядочения решетки. [13]
Для кристаллов стехиометрических соединений, имеющих френкелевскую или антиструктурную разупорядоченность, равновесные концентрации дефектов определяются аналогично. [14]
Предположение о возможности замораживания дефектов основывается на том факте, что для установления равновесной концентрации дефектов требуется определенный период времени. Таким образом, если кристалл охлаждается, то дефекты решетки должны непрерывно исчезать. Дефекты по Френкелю будут исчезать в результате рекомбинации вакансий и межузельных атомов, а дефекты по Шоттки - вследствие миграции вакансий к поверхности кристалла и границам зерен. Как показано [25], влияние этого эффекта на обычную низкотемпературную проводимость чистого кристалла незначительно. [15]
Страницы: 1 2 3