Коэффициент - диффузия - дырка
Cтраница 1
 |
Зависимость подвижности основных носителей заряда в кремнии. [1] |
Коэффициент диффузии дырок в эмиттере Dpa для NK Югс м - легко определить по значению Цря - 4 - 10 - э м2 / В-с. [2]
Здесь Dp - коэффициент диффузии дырок в эмиттере, Dn - коэффициент диффузии электронов в базе, а отношение интегралов характеризует отношение общего числа некомпенсированных примесей в базе к отношению их в эмиттере. [3]
Коэффициент диффузии электронов обычно значительно больше коэффициента диффузии дырок. Поэтому при диффузии электроны опережают дырки, происходит некоторое разделение зарядов - поверхность полупроводника приобретает положительный заряд, а объем заряжается отрицательно. ЭДС, которую иногда называют ЭДС Дембера. Возникшее электрическое поле будет тормозить электроны и ускорять дырки при их движении от поверхности полупроводника, в результате чего через некоторое время после начала освещения установится динамическое равновесие. [4]
Коэффициент диффузии электронов обычно значительно больше коэффициента диффузии дырок. Поэтому при диффузии электроны опережают дырки, происходит некоторое разделение зарядов - поверхность полупроводника приобретает положительный заряд, а объем заряжается отрицательно. Таким образом, в полупроводнике при его освещении возникает электрическое поле или ЭДС, которую иногда называют ЭДС Дембера. Возникшее электрическое поле будет тормозить электроны и ускорять дырки при их движении от поверхности полупроводника, в результате чего через некоторое время после начала освещения установится динамическое равновесие. [5]
Ьр и D - диффузионная длина и коэффициент диффузии дырок во фронтальном n - слое; w - толщипа фронтального слоя; а - показатель поглощения излучения в полупроводнике. [6]
Для нахождения Y необходимо знать коэффициент диффузии электронов в базе и коэффициент диффузии дырок в эмиттере. [7]
Едр - поле, обусловленное распределением дырок под электродами; Dp UOB - коэффициент диффузии дырок вблизи поверхности. [8]
БФ - дрейфовое поле, обусловленное распределением дырок под электродами; Dp пав - коэффициент диффузии дырок вблизи поверхности. [9]
Це / ц /, - отношение подвижностей электрона и дырки соответственно; D - коэффициент диффузии дырок; jj, - подвижность дырок; s - скорость поверхностной рекомбинации, t - толщина образца. Ясно, что когда подвижности дырки и электрона равны, то b 1 и потенциал Дембера исчезает. Если под s понимать скорость процесса разрядки на электродах, то это выражение, по-видимому, справедливо для антрацена. Хотя в настоящее время подвижности известны достаточно хорошо, скорость поверхностной рекомбинации не найдена. [10]
Условие достижения функцией g ( Z) своего асимптотического значения 0 5 совпадает с удвоением коэффициента диффузии дырок в базе Dp. Можно предположить, что этому уровню инжекции должен соответствовать практически полный переход от бимолекулярной рекомбинации к мономолекулярной. [11]
Плотность дырочного диффузионного тока определяется из аналогичного выражения jpo - qD p ( dpldx), где Dp - коэффициент диффузии дырок; dpldx - градиент концентрации дырок. [12]
Здесь А - площадь перехода; а, - собственная проводимость; ап - проводимость электронной части перехода; Dp - коэффициент диффузии дырок; 8 - толщина кристалла или толщина инверсионного слоя в случае его образования на поверхности. [13]
Если отношение подвижностей носителей тока Ь, как, например, в InSb, велико, то эффективный коэффициент диффузии в собственном полупроводнике приблизительно равен коэффициенту диффузии дырок, несмотря на то, что коэффициент диффузии электронов имеет значительно большую величину. [14]
Поскольку процесс удаления дырок из первой потенциальной ямы более длителен, чем процесс их накопления во второй яме, время передачи заряда определяется длительностью первого процесса, которая связана с длиной L затвора соотношением [66]: tL2 / 2 5Dp, где Dp - коэффициент диффузии дырок. Если расстояние между соседними затворами чрезвычайно мало ( приблизительно 0 1 - 0 2 мкм), то краевые эффекты приводят к ускорению процесса передачи заряда за счет дрейфа носителей в электрическом поле. Разумеется, время передачи заряда должно быть много меньше времени существования потенциальных ям. [15]
Страницы: 1 2