Cтраница 2
Толщина базы у сплавных фотодиодов составляет десятки микрометров, а у диффузионных - 3 - - 5 мкм. Коэффициент диффузии дырок ( электроны имеют большую скорость) составляет для кремния 10 см2 / с. [16]
![]() |
Частотные характеристики кремниевого фотодиода. [17] |
Толщина базы у сплавных фотодиодов составляет десятки микрометров, а у диффузионных - 3 - 5 мкм. Коэффициент диффузии дырок ( электроны имеют большую скорость) составляет для кремния Ю см2 / с. [18]
Через каждую единицу поверхности плоскости х в единицу времени вследствие диффузии внутрь слоя будет входить число дырок - D - щ dug / dx Xl где Dft - коэффициент диффузии дырок в n - области. [19]
Из полученного результата можно сделать вывод, имеющий практическое значение, что толщину базы W следует делать очень малой. Однако в действительности сделать толщину базы меньше 0 5 мм очень трудно. Коэффициент переноса можно несколько увеличить, если для работы на высокой частоте использовать п - р - п-транзистор, так как в нем в качестве неосновных носителей выступают электроны, коэффициент диффузии которых больше коэффициента диффузии дырок. [20]
В момент / 0 дырки инжектируются в германий n - типа положительным импульсом от генератора. Дырки дрейфуют направо под действием приложенного поля и через некоторое время, определяемое их подвижностью, достигают коллектора. Промежуток времени между инжекцией дырок и приходом их на коллектор определяет подвижность дырок в германии n - типа. Изменение амплитуды сигнала на коллекторе в том случае, когда контакт 4 помещается до или после эмиттера, определяет скорость рекомбинации дырок ( или, альтернативно, их среднюю длину диффузии); разброс времен прихода дырок на коллектор, определяемый при измерении времени нарастания импульса на коллекторе, позволяет найти коэффициент диффузии дырок. Наблюдаемые на опыте временные корреляции сигналов на эмиттере и коллекторе при данном направлении приложенного электрического поля позволяют доказать, что проводимость в этом случае осуществляется потоком дырок. [21]