Коэффициент - диффузия - фосфор
Cтраница 1
 |
Квадратная ( а и гексагональная ( б технологические шунтировки перехода / 3. [1] |
Коэффициент диффузии фосфора в двуокиси кремния очень мал. Поэтому за время создания эмиттерного слоя п2 на тех участках, где была сохранена двуокись кремния, фосфор в кремний не проникает и эти участки сохраняют дырочную электропроводность. Затем двуокись кремния удаляется со всей поверхности и р-п-р-п структуры металлизируются. [2]
 |
Коэффициенты диффузии. [3] |
В табл. 3 для сравнения приведены коэффициенты диффузии фосфора и бора для кремния и его оксида. [4]
 |
Коэффициент диффузии ионов фосфора как функция 1 / Г.| Схема опыта в электрическом поле. Пунктиром указана мет. [5] |
На рис. 39 изображена зависимость логарифма коэффициента диффузии фосфора 32Р в кристаллах КС1 от обратной температуры. Энергия активации процесса диффузии, найденная лз наклона прямой IgD как функции 1 / Г, составила 3 2 эВ, что является очень большой величиной. Поэтому процесс диффузии атомов радиофосфора можно попытаться представить как явление, обусловленное наличием в кристалле гетерофазных флуктуации. Предположим, что перемещение радиофосфора происходит только тогда, когда он вместе со своим катионным и анионным окружением входит в область, обладающую теплосодержанием жидкого состояния. [6]
На рис. 7 приведена температурная зависимость коэффициента диффузии фосфора в эпитаксиальных слоях Si при Csicij 6 %, Cpci, 8 8 - 10 - 4 % в сравнении с аналогичной зависимостью, характерной для массивных монокристаллов. [7]
Весьма примечательным является то обстоятельство, что коэффициент диффузии фосфора не меньше, чем кальция. [8]
На рис. 1.10 показано влияние концентрации исходной ( Л исх) и диффундирующей ( N0) примесей на коэффициент диффузии фосфора в кремний. [9]
Так как в диапазоне температур, при которых проводится вторая стадия диффузии ( 1250 - 1 300 С), изменение коэффициента диффузии фосфора на каждый градус составляет около 3 %, то для получения допустимого разброса KJ необходимо, чтобы точность регулировки температуры печей была не хуже 0 4 С. [10]
Анализ влияния нейтронного облучения на диффузионную подвижность атомов фосфора в низколегированной Сг - Ni - Mo перлитной стали показал [237] что облучение при 300 С потоком Ю17 нейтрон / ( м2 - с), достигаемым в исследовательских каналах атомных реакторов на тепловых нейтронах, увеличивает коэффициент диффузии фосфора ( за счет повышения концентрации вакансий) более чем на пять порядков, что эквивалентно повышению температуры от 300 до 470 - 480 С, Поэтому кинетика обогащения границ зерен фосфором и соответствующего охрупчивания стали в результате облучения потоком 1017 нейтрон / ма - с при температуре 300 С может быть такой же, как без облучения при температуре 470 - 480 С, которая, как было отмечено ранее, для Сг - Ni - Mo стали ( см. рис. 2) и других низколегированных конструкционных сталей находится в температурном интервале интенсивного развития обратимой отпускной хрупкости. Это означает, что облучение при температуре около 300 С ( ниже интервала развития обратимой отпускной хрупкости) может ускорить обогащение межзеренных границ в стали фосфором в достаточной для значительного охрупчивания степени. [11]
 |
Изменения характеристик и внешнего вида. [12] |
В работе Ишивата и др. отмечено, что / - слой в p - i - n - или n - i - p - переходе в действительности не является нелегированным, а содержит определенное количество фосфора или бора. Определенные в их работе коэффициенты диффузии фосфора и бора в a - Si: Н из сравнения профилей распределения легирующей добавки в образцах со структурами г-л / Нерж. Такие коэффициенты диффузии являются слишком малыми, чтобы легирующий элемент мог продиффундировать в г - слой в процессе его осаждения, поэтому сделан вывод, что захват легирующей примеси обусловлен возбужденными объемами материала, которые переносят в г - слой легирующие атомы от легированного слоя или стенок камеры. Такой захват примеси должен учитываться при разработке и производстве солнечных элементов, полученных из a - Si методом тлеющего разряда на подложках как из нержавеющей стали, так из стекла. [13]
 |
Изменения характеристик и ввешиего вида. [14] |
В работе Ишивата и др. отмечено, что / - слой в p - i - n - или n - i - p - переходе в действительности не является нелегированным, а содержит определенное количество фосфора или бора. Определенные в их работе коэффициенты диффузии фосфора и бора в a - Si: Н из сравнения профилей распределения легирующей добавки в образцах со структурами г - / Нерж. Такие коэффициенты диффузии являются слишком малыми, чтобы легирующий элемент мог продиффундировать в г - слой в процессе его осаждения, поэтому сделан вывод, что захват легирующей примеси обусловлен возбужденными объемами материала, которые переносят в г - слой легирующие атомы от легированного слоя или стенок камеры. Такой захват примеси должен учитываться при разработке и производстве солнечных элементов, полученных из a - Si методом тлеющего разряда на подложках как из нержавеющей стали. [15]
Страницы: 1 2