Коэффициент - диффузия - фосфор
Cтраница 2
В работе [ 145] рассмотрена возможность определения таким способом вклада сегрегационного механизма в радиационное охрупчивание низколегированной Сг - Ni - Mo стали различной чистоты, а также оценена зависимость этой составляющей охрупчивания от дозы облучения и от концентрации фосфора в стали. При этом предполагали, что равновесная концентрация фосфора на границах зерен под действием облучения не изменяется, а роль облучения состоит только в ускорении приближения к равновесию благодаря росту коэффициента диффузии фосфора. [17]
Для получения n - областей применяют материалы, содержащие фосфор, сурьму, мышьяк. Основной донорной примесью для кремния является фосфор, который по сравнению с мышьяком и сурьмой имеет более высокую растворимость. Это позволяет изменять поверхностную концентрацию диффузионных слоев в широком диапазоне. Из элементов V группы фосфор обладает наиболее высоким коэффициентом диффузии, соединения фосфора менее токсичны. Фосфор широко используют для локальной диффузии при планарной технологии изготовления кремниевых структур, так как коэффициент диффузии фосфора в окисле значительно меньше, чем в кремнии или германии. В качестве акцепторных примесей применяют алюминий, галлий, индий, бор. При планарной технологии для создания р-областей используют только бор, который имеет те же преимущества, что и фосфор. [18]
 |
Распределение концентрации. [19] |
Приведенные результаты расчета распределения концентрации примесных атомов для двустадийных диффузионных процессов позволяют заключить, что при формирований базовых областей большинства эпитаксиально-планарных транзисторов интегральных схем диффузия идет из ограниченного источника. Это непосредственно следует из соотношения длительностей и коэффициентов диффузии, характеризующих процессы загонки и разгонки. Однако заметим, что формулы, описывающие распределение диффундирующих атомов примеси, были получены в предположении, что диффузионный процесс осуществляется из источника, содержащего примеси в элементарном состоянии. В технологии изготовления серийных интегральных схем донорные и акцепторные примеси, как правило, диффундируют соответственно из химических соединений фосфора и бора, причем одновременно с процессами диффузии на обеих стадиях происходит окисление поверхности кремниевой пластины. Для этого будем пользоваться некоторыми эффективными величинами коэффициентов диффузии фосфора и бора, которые несколько отличаются от значений, приведенных в большинстве работ, посвященных исследованию диффузионных процессов. [20]
Страницы: 1 2