Коэффициент - диффузия - электрон
Cтраница 1
Коэффициент диффузии электронов обычно значительно больше коэффициента диффузии дырок. Поэтому при диффузии электроны опережают дырки, происходит некоторое разделение зарядов - поверхность полупроводника приобретает положительный заряд, а объем заряжается отрицательно. Таким образом, в полупроводнике при его освещении возникает электрическое поле или ЭДС, которую иногда называют ЭДС Дембера. Возникшее электрическое поле будет тормозить электроны и ускорять дырки при их движении от поверхности полупроводника, в результате чего через некоторое время после начала освещения установится динамическое равновесие. [1]
Коэффициент диффузии электронов при градиенте концентрации х не дается как функция и законом Энштейна D kTpfe ( см. прим. Как только электронный газ вырождается, он находится в сильной зависимости от непарабо-личности зоны. [2]
Коэффициент диффузии электронов обычно значительно больше коэффициента диффузии дырок. Поэтому при диффузии электроны опережают дырки, происходит некоторое разделение зарядов - поверхность полупроводника приобретает положительный заряд, а объем заряжается отрицательно. ЭДС, которую иногда называют ЭДС Дембера. Возникшее электрическое поле будет тормозить электроны и ускорять дырки при их движении от поверхности полупроводника, в результате чего через некоторое время после начала освещения установится динамическое равновесие. [3]
Определим коэффициенты диффузии электронов и дырок в германии при Г300 К. [4]
Однако коэффициенты диффузии электронов и дырок, как правило, различны ( при Т s300 К в Ge: Dn97 см2 / с; Dp 44 см2 / с [1313]; в Si: Dn 31 см2 / с; Dp 13 см2 / с [1712]), что приводит к появлению объемных зарядов, поле которых будет замедлять движение более быстрых и ускорять движение более медленных носителей. [5]
Здесь Dn - коэффициент диффузии электронов, равный 93 см2 / с для германия и 31 сма / с для кремния; dn / dx - градиент концентрации электронов. [6]
DaKC близко к коэффициенту диффузии электронов и дырок, а при равенстве их подвижностей может быть значительно выше. [7]
 |
К расчету коэффициента диффузии. [8] |
Величина Dn называется коэффициентом диффузии электронов. [9]
Величина De называется коэффициентом диффузии электронов. [10]
Dn, Dp - коэффициенты диффузии электронов и дырок, которые формулой Эйнштейна D фгц связаны с подвижностями. [11]
Апсельму, близок к коэффициентам диффузии электронов и дырок, а при равенстве подвияшостей дырок и электронов значительно выше. [12]
Здесь Dn и Dp есть коэффициенты диффузии электронов и дырок, a q - заряд носителя. [13]
Для нахождения Y необходимо знать коэффициент диффузии электронов в базе и коэффициент диффузии дырок в эмиттере. [14]
Соотношения (20.3), (20.4) позволяют определить коэффициент диффузии электронов на основании данных по электропроводности слабоионизованной плазмы. [15]
Страницы: 1 2 3 4