Коэффициент - диффузия - электрон
Cтраница 2
Пз выражения ( 121) следует, что коэффициенты диффузии электронов и дырок пропорциональны их подвижностям и поэтому могут иметь различные значения. [16]
Здесь Dp - коэффициент диффузии дырок в эмиттере, Dn - коэффициент диффузии электронов в базе, а отношение интегралов характеризует отношение общего числа некомпенсированных примесей в базе к отношению их в эмиттере. [17]
Коэффициент диффузии D3KC, как показали А. И. Ансельм и Ю. А. Фир-сов, близок к коэффициенту диффузии электронов и дырок и может быть значительно выше при равенстве их подвижностей. [18]
Описанный фотомагнитоэлектрический эффект в отличие от ьристалл-эффекта является суммарным и не связан с обязательной разностью коэффициентов диффузии электронов и дырок. Фотомагнитоэлектрический эффект может возникать в области как собственного, так и примесного поглощения. По спектральным характеристикам фотомагнитоэлектрического эффекта определяют параметры зонной структуры и примесных состояний в полупроводнике. [19]
Больцмана; Т - температура плазмы, е - заряд электрона), которое позволяет определить коэффициент диффузии электронов на основании данных по электропроводности слабоионизованной плазмы. [20]
Больцмана; Т - температура плазмы; е - заряд электрона), которое позволяет определить коэффициент диффузии электронов на основании данных по электропроводности слабоионизованной плазмы. [21]
Плотность электронного диффузионного тока пропорциональна градиенту концентрации: jno qDn ( dn / dx), где Dn - коэффициент диффузии электронов; dn / dx - градиент концентрации электронов. [22]
Про, р 0 - равновеснее концентрации неосновных дырок и электронов в базе и эмиттере; Dn, Dp - коэффициенты диффузии инжектируемых электронов и дырок; Ln и Lp - диффузионные длины инжектируемых электронов и дырок в базовой и эмиттер-ной областях. [23]
Первая составляющая напряжения C / Ei формально напоминает закон Ома и называется омической, а вторая составляющая связана с различием коэффициентов диффузии электронов и дырок и называется демберовской. Оценки показывают, что значение демберовской составляющей падения напряжения на базе пренебрежимо мало. [24]
Уравнение подвижности Ланжевена ( 44 12) и равенство ( 38 4) дают возможность вывести соотношение между подвижностью и коэффициентом диффузии электрона. [25]
Здесь г-плотность электронного тока через контакт, Е - напряженность поля, п, К и D-соответственно концентрация, подвижность и коэффициент диффузии электронов в полупроводнике. [27]
Кл; и, - собственная концентрация, И 1 5 - 1010см - 3; Д, фт ця - коэффициент диффузии электронов в области базы, qT kT / q - температурный потенциал, k - постоянная Больцмана, Т - температура, К; ц, цр-подвижности электронов и дырок; а6 - средняя проводимость в активной базе; N6 - средняя концентрация примеси в активной базе; W-ширина базы. [28]
 |
Зависимость фототока от YC &.| Обработка экспериментальных данных в системе координат 1 / / - 1 / /. [29] |
В работе [156] было высказано мнение, что наблюдаемый эффект объясняется более медленным захватом электрона индиевым электродом по сравнению со ртутным, поскольку коэффициент диффузии электрона, константа скорости захвата его акцептором, а также длина сольватации, которые входят в выражение для фототока (3.14), не должны зависеть от природы металла. [30]
Страницы: 1 2 3 4