Cтраница 1
![]() |
Зависимость коэффициента затенения междупутий у от числа путей v и высоты установки осветительных приборов Я. [1] |
Коэффициент затенения зависит от высоты установки осветительных приборов Н, числа путей v, заключенных между двумя продольными рядами осветительных приборов, от ширины междупутий Ьм, ширины колеи Ьк и габаритов подвижного состава. [2]
Коэффициент затенения уменьшается с увеличением высоты Я размещения осветительных приборов и уменьшением числа путей v, заключенных между продольными рядами приборов. [3]
Числовое значение коэффициента затенения Л, учитывающего затенение оветопроемов противостоящими зданиями, принимается по табл. 8, причем L обозначает расстояние между противостоящими зданиями, а И - высоту расположения карниза противостоящего здания над подоконником рассматриваемого оветопроема. [4]
Числовое значение коэффициента затенения k, учитывающего затенение светопроемов противостоящими зданиями, принимается по табл. 8, причем L обозначает расстояние между противостоящими зданиями, а Я - высоту расположения карниза противостоящего здания над подоконником рассматриваемого светопроема. [5]
При расположении светящих линий вдоль оборудования коэффициент затенения не вводится, но при расчете освещенности учитываются лишь те линии, которые не экранируются оборудованием. [7]
Например, в СЭ для преобразования прямого ( неконцентрированного) солнечного излучения применяют сетки с шагом 2 - 5 мм при коэффициенте затенения - 5 %, а рисунок наносят методом шелкографии. В сильноточных СЭ шаг сетки уменьшается до 0.1 - 0.3 мм, что требует применения процесса фотолитографии. [8]
В связи с этим одним из важнейших показателей качества освещения парков путей ( путевого развития) железнодорожных станций является направленность освещения, характеризуемая коэффициентом затенения междупутий Y. [9]
На действующих станциях с большим числом путей и при условии отсутствия междупутий требуемой ширины могут быть применены мачты высотой 45 м ( см. рис. 2 - 2), так как благодаря значительной высоте установки осветительных приборов даже при размещении мачт за пределами путей можно несколько уменьшить коэффициент затенения. [10]
![]() |
Определение КЕО по глубине помещения и высоте световых проемов. [11] |
Ен - минимальная нормируемая освещенность, лк ( табл. 4.9); S - площадь помещения, м2; &3 - коэффициент запаса, учитывающий запы-ление светильников и снижение светоотдачи источников света в процессе эксплуатации ( СНиП 23 - 05 - 95); z - коэффициент неравномерности освещения по площади помещения; пс - число светильников, определенных из условия равномерного освещения всей площади помещения; у - коэффициент затенения, который вводится в расчет только при наличии крупногабаритного оборудования, затеняющего рабочее пространство; и - коэффициент использования светового потока. [12]
В том случае, если осветительные установки парков железнодорожных станций неравноценны между собой по размерам затенения междупутий, сравнивать их необходимо не по абсолютным или удельным показателями, отнесенным ко всей площади, подлежащей освещению, а к площади, фактически освещаемой, незатененной. Связующим показателем между материальными затратами на осветительную установку и одной из основных качественных характеристик освещения является коэффициент затенения междупутий - у ( см. гл. [13]
В практике проектирования осветительных установок нередки случаи, когда приходится выбирать один из возможных вариантов освещения. При сравнении вариантов сопоставлются такие показатели, как равномерность распределения освещенности, направленность освещения, характеризуемая коэффициентом затенения междупутий у ( см. гл. [14]
В СЭ показанном на рис. 3.6, г, контакты обеих полярностей выведены на тыльную поверхность. В другом варианте ( рис. 3.6, а; 3.8, а) поверхность СЭ выполнена рельефной и контактные полоски располагаются на плоскостях, параллельных ходу световых лучей, что значительно снижает коэффициент затенения контактами. В третьем варианте ( рис. 3.5) контакты на рельефной поверхности располагаются таким образом, чтобы отраженные от них лучи попадали на фотоактивную поверхность СЭ. [15]