Коэффициент - инжекция - эмиттер
Cтраница 1
 |
Схема р - п - р - - структуры ( г и осциллограммы ( б. [1] |
Коэффициенты инжекции эмиттеров и / 3 равны единице. [2]
 |
Структура ( а и эквивалентная схема ( б транзистора ИМС со скры. [3] |
В частности, для увеличения коэффициента инжекции эмиттера и повышения пробивного напряжения перехода эмиттер - база уровень легирования базовой области необходимо понижать. [4]
Уравнения (5.6), (5.7) получены для коэффициента инжекции эмиттера, равного единице. Отметим, что (5.6) удобно для анализа р-п - р структуры, включенной по схеме с общей базой, а (5.7) - для структуры, включенной по схеме с общим эмиттером. [5]
Следовательно, широкозонный эмиттер позволяет при уменьшении плотности легирующей примеси в области эмиттера все же получить коэффициент инжекции эмиттера близкий к единице, что обеспечивает возможность снижения емкости слоя пространственного заряда, образуемого в области эмиттерного перехода. [7]
 |
Зависимость коэффициентов усиления составляющих транзисторов от тока.| ВЛХ диннстора. [8] |
При увеличении плотности тока до 1Q - 2 - 10 - А / см2 доля рекомби-нирующих носителей заряда уменьшается, коэффициенты инжекции эмиттеров, а вместе с ними и dj и а2 возрастают. [9]
Уменьшение удельного сопротивления базы ( см. § 2 5) вызванное увеличением концентрации инжектированных в базу электронов приводит к уменьшению коэффициента инжекции эмиттера. [10]
 |
Расширение области объемного заряда изолирующего р-п перехода ИС.| Транзистор полупроводниковой ИС со скрытым слоем. [11] |
В результате напряжение смещения, приложенное между эмиттерным и базовым выводами транзистора, в центральной части эмиттерного перехода меньше, чем по кромкам эмиттера, расположенным близко к правому и левому выводам базы. Коэффициент инжекции эмиттера быстро спадает в направлении от края к центру эмиттера. Поэтому практически почти весь эмиттерный ток оттесняется к кромкам эмиттерного перехода. Как следствие эффекта оттеснения максимальное значение эмиттерного тока оказывается пропорциональным не площади эмиттера, а его периметру. Сопротивление коллектора гк определяется удельным сопротивлением материала коллекторной области и зависит от конструкции транзистора. В транзисторах со скрытым п - слоем сопротивление в цепи вывода коллектора может быть существенно уменьшено, однако в таких транзисторах для формирования коллекторной области используется значительно более высокоомный кремний, что необходимо для уменьшения паразитных емкостей коллектора относительно базы и подложки и увеличения пробивного напряжения перехода коллектор - база. Удельное сопротивление скрытого слоя лежит в пределах 5 - 20 Ом / квадрат. [12]
Вебстер обратил внимание на то обстоятельство, что с ростом тока эмиттера происходит модуляция проводимости базовой области за счет увеличения плотности инжектированных дырок и такого же увеличения плотности электронов, обусловленного требованием электронейтральности. Поэтому с увеличением тока эмиттера проводимость базовой области будет расти, коэффициент инжекции эмиттера Y ( отношение дырочного тока эмиттера к суммарному току эмиттера) - падать, а потери тока, определяемые коэффициентом инжекции эмиттера ( третий член правой части ( 3 - 12), будут расти. [13]
 |
Изображение структуры, уровней легирования и распределения носителей заряда в ее слоях. [14] |
С практической точки зрения, наибольший интерес представляет нарастающий участок зависимости. В работе [6] рассмотрен один из возможных механизмов формирования такой зависимости, связанный с уменьшением коэффициента инжекции эмиттеров с ростом плотности тока. [15]
Страницы: 1 2