Cтраница 2
Время восстановления обратного сопротивления в схеме / определяется из следующих соображений. В этой схеме только эмиттер - ный переход смещается в прямом направлении, а так как коэффициент инжекции эмиттера близок к единице, то происходит накопление неосновных носителей только в области базы. [16]
Такие транзисторы имеют предельные частоты усиления, достигающие по порядку величины 10 ГГц. Однако применение фосфора для создания неглубоких слоев не позволяет обеспечить высокий градиент примеси в области эмиттерного р-л-перехода, который, как известно, влияет на коэффициент инжекции эмиттера. [17]
Представляет собой полуплоскость кг, соответствующую любым значениям z и положительным значениям х; коллекторный переход располагается параллельно эмиттер-ному и сдвинут от него на расстояние w вдоль оси у. При расчете предполагается, что эмиттерная область легирована очень сильно ( на несколько порядков величины больше, чем базовая область) и что уровень инжекции невысок, так что величина коэффициента инжекции эмиттера у близка к единице и модуляция проводимости базовой области инжектированным током не меняет величину у заметным образом. Поверхностная рекомбинация в транзисторе не учитывается. Так как в рассматриваемом случае все величины не зависят от переменной z, то в дальнейшем все соотношения выводятся для области, имеющей в направлении оси z единичную длину. [18]
Вебстер обратил внимание на то обстоятельство, что с ростом тока эмиттера происходит модуляция проводимости базовой области за счет увеличения плотности инжектированных дырок и такого же увеличения плотности электронов, обусловленного требованием электронейтральности. Поэтому с увеличением тока эмиттера проводимость базовой области будет расти, коэффициент инжекции эмиттера Y ( отношение дырочного тока эмиттера к суммарному току эмиттера) - падать, а потери тока, определяемые коэффициентом инжекции эмиттера ( третий член правой части ( 3 - 12), будут расти. [19]
Последнее слагаемое в этой формуле проявляется лишь при очень малых эмиттерных токах, его обсудим позднее при анализе зависимости коэффициента передачи от тока эмиттера. В современных дрейфовых транзисторах, имеющих тонкую базу ( WB 0 5 мкм), выполняется условие № Б 0 1 1Пэф, при котором второе слагаемое не превышает 5 - 10 - 3, так что им можно пренебречь по сравнению с первым, определяющим коэффициент инжекции эмиттера. [20]
Структура многоколлекторного транзистора ( МКТ) ( рис. 17.36, а) такая же, как и структура МЭТ, но используется она иначе. Здесь роль эмиттера выполняет эпитаксиальный n - слой, а коллекторами являются высоколегированные и - слои малых размеров. Исходя из такого использования структуры, необходимо увеличивать коэффициент инжекции эмиттера. С этой целью подложку п - типа располагают по возможности ближе к базовому слою. Будучи высоколегированной, она обеспечивает увеличение коэффициента инжекции. [21]
Структура многоколлекторного транзистора ( МКТ) ( рис. 1.60, а) такая же, как и структура МЭТ, но используется она иначе. Здесь роль эмиттера выполняет эпитаксиаль-ный л-слой, а коллекторами являются высоколегированные гГ - слои малых размеров. Исходя из такого использования структуры, необходимо увеличивать коэффициент инжекции эмиттера. С этой целью подложку п - типа располагают по возможности ближе к базовому слою. [22]
Эмиттер, очевидно, тем лучше, чем ближе коэффициент инжекции к единице. Для этого требуется, чтобы второе слагаемое в знаменателе было возможно меньше единицы. Для этого эмиттер необходимо легировать более сильно, чем базу, что и делается практически. Обычно коэффициент инжекции эмиттера можно считать равным единице, но при значительном росте тока эмиттера он снижается. [23]