Cтраница 1
Коэффициент передачи тока эмиттера в большинстве случаев растет при нагревании транзистора и уменьшается при его охлаждении. [1]
![]() |
Эмиттерная входная характеристика транзистора, работающего в активной области.| Базовая входная характеристика транзистора, работающего в активной области. [2] |
Коэффициенты передачи тока эмиттера aN и тока базы pw являются функциями и входного тока. [3]
Коэффициент передачи тока эмиттера UN ( далее индекс N будем опускать) является важнейшим параметром транзистора, определяющим его усилительные свойства. [4]
Поскольку коэффициент передачи тока эмиттера а близок к единице, значение Р обычно лежит в пределах от 10 до 1000 и более. [5]
Хотя коэффициент передачи тока эмиттера а меньше единицы, коэффициенты усиления по напряжению К и и по мощности Кр могут достигать больших значений. Дело в том, что при прямом включении эмиттерного перехода его сопротивление переменному току Явх составляет несколько десятков ом, а сопротивление коллекторного перехода при обратном включении достигает сотен килоом. [6]
Значения коэффициента передачи тока эмиттера а и обратного тока коллектора умышленно не даны, чтобы читатели привыкали делать самостоятельно допустимые приближения. Коэффициент передачи тока эмиттера я принимаем равным единице. [7]
![]() |
Схема диодного ключа, построенного на эмиттерном переходе транзистора с разомкнутым коллекторным переходом ( а и эквивалентная схема диода при ил1. 0. ( б. [8] |
Постоянные времени коэффициентов передачи токов эмиттера Тол / 0 25 не и коллектора та / 1 1 не. [9]
С учетом коэффициентов передачи тока эмиттеров а1 и и2 ток через коллекторный переход Я2 определяется суммой / пр / к. [10]
Знаки у коэффициентов передачи тока эмиттера одномерной теоретической модели транзистора и реального транзистора (4.83) различны в связи с отличием направлений токов в реальном транзисторе, включенном по схеме с общей базой, и условно принятыми направлениями тех же токов в эквивалентном четырехполюснике. [11]
Знаки у коэффициентов передачи тока эмиттера одномерной теоретической модели транзистора и реального транзистора (4.83) различны в связи с отличием направлений токов в реальном транзисторе, включенном по схеме с общей базой, и условно принятыми направлениями тех же токов в эквивалентном четырехполюснике. [12]
Как и почему коэффициент передачи тока эмиттера зависит от постоянного тока эмиттера. [13]
![]() |
Относительное изменение коэффициента передачи тока базы в зависимости от дозы нейтронов для низкочастотных и высокочастотных транзисторов. [14] |
Как и почему коэффициент передачи тока эмиттера зависит от величины постоянного тока эмиттера. [15]