Cтраница 2
Напомним, что коэффициент передачи тока эмиттера транзистора возрастает с увеличением тока эмиттера в результате уменьшения рекомбинационной составляющей тока эмиттера ( уменьшения влияния рекомбинации в p - n - переходе эмиттера) и появления электрического поля в базе транзистора. Коэффициент передачи тока эмиттера также растет при увеличении напряжения на коллекторе из-за уменьшения толщины базы и увеличения коэффициента умножения в коллекторном переходе. Все эти процессы происходят и в тиристорной структуре при увеличении прямого напряжения. [16]
Напомним, что коэффициент передачи тока эмиттера транзистора возрастает с увеличением тока эмиттера в результате уменьшения влияния рекомбинации в p - n - переходе эмиттера и появления электрического поля в базе транзистора. Коэффициент передачи тока эмиттера также растет при увеличении напряжения на коллекторе из-за уменьшения толщины базы и увеличения коэффициента умножения в коллекторном переходе. Все эти процессы происходят и в тиристорной структуре при увеличении прямого напряжения. [17]
![]() |
Эквивалент-ная схема эмиттерной. [18] |
Рассмотрим частотную зависимость коэффициента передачи тока эмиттера hzif. В § 4.9 отмечалось, что на коэффициент передачи тока влияют емкость цепи эмиттера, время пролета носителей заряда через базу, время пролета носителей через область объемного заряда коллектора и постоянная времени цепи коллектора. [19]
![]() |
Зависимости параметров.| Зависимости параметров четырехполюсника, эквивалентного транзистору, от температуры. [20] |
Рассмотрим частотную зависимость коэффициента передачи тока эмиттера ft2ie - В § 2.9 отмечалось, что на коэффициент передачи тока влияют емкость цепи эмиттера, время пролета носителей через базу, время пролета носителей через область объемного заряда коллектора - и постоянная времени цепи коллектора. [21]
Важнейшим параметром БТ является коэффициент передачи тока эмиттера: a6iT YHvn. Так как уи и vn меньше единицы, то коэффициент передачи тока эмиттера также не превышает единицы. [22]
Физический смысл предельной частоты коэффициента передачи тока эмиттера шА2 б - частота, на которой модуль коэффициента передачи тока эмиттера падает в - / 2 раз по сравнению с его низкочастотным значением. [23]
Физический смысл предельной частоты коэффициента передачи тока эмиттера соЛ21б - частота, на которой модуль коэффициента передачи тока эмиттера падает в - / 2 раз по сравнению с его низкочастотным значением. [24]
В кремниевых транзисторах зависимость коэффициента передачи тока эмиттера от тока эмиттера выражена сильнее, чем в германиевых транзисторах. Объясняется это большей шириной запрещенной зоны кремния по сравнению с шириной запрещенной зоны германия. [25]
Физический смысл предельной частоты коэффициента передачи тока эмиттера toft21fl - частота, на которой модуль коэффициента передачи тока эмиттера падает в J / 2 раз по сравнению с его низкочастотным значением. [26]
Погрешности, обусловленные изменениями коэффициента передачи тока эмиттера а, производственным разбросом сопротивления резистора Rn и колебаниями коллекторного напряжения UK, сказываются слабее. [27]
Коэффициент пропорциональности а называется коэффициентом передачи тока эмиттера. При достаточно тонкой базе, когда потери дырок за счет рекомбинации их в базе малы, коэффициент передачи тока может доходить до 0 99 и более. [28]
Для практических расчетов удобно использовать коэффициент передачи тока эмиттера а Д / к / А / э Ру. Коэффициент а показывает, какая часть тока эмиттера замыкается через коллектор, и определяет степень усиления потоку, обеспечиваемую транзистором. [29]
В каких пределах может изменяться коэффициент передачи тока эмиттера. [30]