Коэффициент - передача - эмиттерной ток
Cтраница 1
Коэффициент передачи эмиттерного тока определяется не только характером движения носителей в базе и вероятностью их рекомбинации, но также процессами в эмиттерном и коллекторном переходах. [1]
Коэффициент передачи эмиттерного тока, хотя он и меньше единицы, часто называют коэффициентом усиления по току плоскостного транзистора, включенного по схеме с общей базой. [2]
 |
Зависимости коэффициентов передачи тока в латеральном р - л-р-транзнсторе от параметров структуры ( а и режима ( б. [3] |
На рис. 5.9 6 приведены экспериментальные зависимости коэффициентов передачи эмиттерного тока в коллектор арк и в подложку арп. [4]
Поскольку в дрейфовом транзисторе всегда г) 1, то его коэффициент передачи эмиттерного тока больше, чем у бездрейфового транзистора и практически принимается за единицу. Это объясняется тем, что из-за большей скорости движения в базовой области успевает прорекомбинировать меньшая часть дырок. [5]
Итак, скорость поверхностной рекомбинации должна иметь такое значение, чтобы обеспечить оптимальные значения параметров полупроводниковых приборов: обратного тока, пробивного напряжения, коэффициента передачи эмиттерного тока. [6]
Отсутствует эффект лавинного умножения, что характерно для низковольтных тиристоров. Поэтому при анализе учитываются зависимости коэффициентов передачи эмиттерных токов лишь от тока через прибор. [7]
Так, если эмиттерный переход открыт и через него протекает ток / 1 ( то в цепи коллектора, как известно, будет протекать несколько меньший ток, поскольку часть инжектированных носителей рекомбини-рует. Этот меньший ток обеспечивается на схеме генератором aNIlt где а н 1 - коэффициент передачи эмиттерного тока. Индекс N означает нормальное включение транзистора. Если триод работает в инверсном включении ( положительное смещение на коллекторе и отрицательное на эмиттере), то прямому коллекторному току / 2 соответствует эмиттерный ток а / / 2, вытекающий из эмиттера. [8]
Появление провала па зависимости f ( i) связано с накоплением такого положительного заряда, при котором скорость поверхностной рекомбинации имеет максимальное значение. У приборов СВЧ-диапазопа из-за неглубокого залегания эмиттерного р-л-пере-хода и малой его ширины в процессе работы коэффициент передачи эмиттерного тока может сильно изменяться из-за наличия влаги в окружающей среде, так как слой оксида под эмиттером тонок и не имеет достаточных защитных свойств. [9]
 |
Эквивалентная схема идеализм-рованного транзистора. [10] |
Так, если эмиттерный переход открыт и через него протекает ток / ь то в цепи коллектора, как известно, будет протекать несколько меньший ток, поскольку часть инжектированных носителей рекомбинирует. Этот меньший ток обеспечивается на схеме генератором a / x, где aN 1 - коэффициент передачи эмиттерного тока. Индекс N означает нормальное включение транзистора. [11]
У несимметричного сплавного транзистора, характеристики которого изображены на рис. 8.6, при включении в схему с общей базой ошибочно поменяли местами выводы коллектора и эмиттера. Поясните, как при этом изменятся токи коллектора, эмиттера, базы, обратный ток коллекторного перехода и коэффициент передачи эмиттерного тока, и начертите примерный вид входных и выходных характеристик. [12]
Во первых, изменение толщины базы влияет на ту долю инжектированных дырок, которая доходит до коллектора, избежав рекомбинации. Значит, при неизменном токе эмиттера модуляция толщины базы приводит к изменениям тока коллектора. Соответственно коэффициент передачи эмиттерного тока оказывается функцией коллекторного напряжения, а коллекторный переход имеет конечное дифференциальное сопротивление. [13]
 |
Температурная стабилизация и способы подачи напряжения смещения в усилителе на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером. [14] |
В усилителе на транзисторе, включенном по схеме с общей базой ( рис. 96, а) входной сигнал подается в эмиттерную цепь. Для создания тока покоя ( установки режима по постоянному току) использован дополнительный источник напряжения смещения Еск. Напряжение эмиттер-база мало, так как переход включен в прямом направлении. Поэтому ток покоя коллектора IKO - aEcJRCK, где а - коэффициент передачи эмиттерного тока. С приходом положительной полуволны входного напряжения суммарный ток эмиттера увеличивается. Транзистор при этом приоткрывается больше и напряжение коллектор-база уменьшается. [15]
Страницы: 1 2