Коэффициент - передача - эмиттерной ток
Cтраница 2
Ыап, где 8 - коэффициент переноса, показывающий, какая часть электронов, покинувших эмиттер, достигает коллектора. Он тем больше, чем меньше электронов рекомбинирует в базе. Для увеличения б уменьшают концентрацию дырок в базе и время переноса электронов через базу. Последнее достигается уменьшением ширины базы и созданием поля в базе, способствующего перемещению электронов. Произведение бу - ос называется коэффициентом передачи эмиттерного тока. [16]
 |
Генераторы втекающего ( а и вытекающего ( б токов. [17] |
В простейших однополярных источниках тока ( рис. 6.5) усилитель управляет выходным транзистором. Различие в управлении по этим входам обусловлено только разницей их входных сопротивлений. По входу С / вх входное сопротивление определяется ОУ, а по входу Un оно равно R. Диоды в этих генераторах тока обеспечивают надежный выход ОУ в линейный режим работы после включения источника питания. Ток, принимаемый от нагрузки генератором на рис. 6.5 а, равен ( t / BX-Un) / ti2l6R, а отдаваемый в нагрузку в схеме на рис. 6.5 6 h2i6 ( Un-USX) / R, где A2i6 - коэффициент передачи эмиттерного тока в выходных транзисторах. [18]
Распределение токов для данного включения освещаемой п-р - п структуры представлено на рис. 12.6. Под действием света в областях структуры генерируются электроны и дырки. Неосновные носители диффундируют к р-п переходам и перебрасываются контактным полем перехода в соседние области. В резуль-тате через эмиттер протекают фототоки ( 1Рф - ток дырок и / пф. Коэффициент инжекции эмиттерного перехода принимаем близким к единице. Если неосновные носители перебрасываются через р-п переходы, то основные носители остаются в базовой области, изменяя ее заряд и, следовательно, потенциал относительно эмиттерной области. Часть этого тока / э ( 1 - а), где а - коэффициент передачи эмиттерного тока, рекомбинирует в базовой области. Другая часть / эа уходит через коллекторный переход, увеличивая ток нагрузки. [19]
Страницы: 1 2