Коэффициент - распределение - примесь
Cтраница 2
В процессе определения коэффициента распределения исследуемой примеси после направленной кристаллизации или зонной плавки образец разделяют на раште число частей и анализируют каждую из них на содержание примеси. Очень часто для этого используют радиоактивные индикаторы. Учитывая, что коэффициент распределения, как указывалось выше, зависит от концентрации, необходимо вводить радиоиндикатор п концентрации, близкой к CQ. При этом основным условием является идентичность химических форм исследуемой примеси и радиоиндикатора. [16]
Известна взаимосвязь между коэффициентом распределения примеси и ее предельной растворимостью в твердом состоянии. [17]
В табл. 2 представлены коэффициенты распределения примесей между аморфным и кристаллическим Ge в случае разложения при 700 С в кварцевом реакторе моногермановодорода с примесями радиоактивных СНС13 ( 14С), AsH3 ( 76As), CH3GeH3 ( 14C) и СН4 ( 14С), а также разложения в тех же условиях моногермановодорода, полученного из диизобутилалю-минийгидрида и тетрахлорида германия, в который добавлены примеси СНС13 ( 14С), AsCl3 ( 76As), CH3GeCl3 ( 14C) ( концентрация примесей С и As в моногермановодороде составляла 4 - Ю-3-2-Ю-6 мае. [18]
 |
Фазовая диаграмма равновесия для системы, образующей твердый раствор во всем интервале концентраций. [19] |
Следовательно, равновесное значение коэффициента распределения примеси имеет тот же смысл, что и константа равновесия. [20]
Однако, если значение коэффициента распределения примеси по мере уменьшения ее концентрации падает, то эффективность очистки может и не понижаться. [21]
При использовании метода циклов определяют коэффициент распределения примеси между твердой фазой и первым растворителем; изучают распределение той же примеси между этой же твердой фазой и другим растворителем, не смешивающимся с первым, а затем находят экстракционный коэффициент распределения между этими растворителями. [22]
Итак, после определения значений коэффициентов распределения примесей и очищаемом объекте в том случае, если они благоприятны, пора переходит. Зная величины k, можно использоннть расчетные крипые, приведенные п приложении к монографии Пфанна [1], для оценки числа проходов, необходимых для достижения желаемой чистоты, а также выхода процесса. [23]
Степень очистки перекристаллизацией зависит от коэффициента распределения примеси между кристаллами и раствором, равного отношению концентрации примеси в кристаллах к концентрации ее в солевой части маточного раствора при конечных условиях кристаллизации. Следует отличать практический коэффициент распределения от равновесного, характеризующего фракционирование примеси в условиях термодинамического равновесия между твердой фазой и маточным раствором. Величина этого коэффициента для каждой пары веществ является константой, зависящей от температуры, а в некоторых случаях и от рН раствора. [24]
Степень очистки перекристаллизацией зависит от коэффициента распределения примеси между кристаллами и раствором, равного отношению концентрации примеси в кристалле к концентрации ее в маточном растворе. Величина этого коэффициента для каждой пары веществ является константой, зависящей от температуры, а в некоторых случаях и от рН раствора. В тех случаях, когда этот коэффициент меньше единицы, при кристаллизации происходит обеднение кристаллов примесью в сравнении с исходным веществом; когда же коэффициент распределения больше единицы, выделяющиеся кристаллы, наоборот, обогащаются примесью - при перекристаллизации происходит еще большее загрязнение кристаллизующего вещества. [25]
Степень очистки перекристаллизацией зависит от коэффициента распределения примеси между кристаллами и раствором, равного отношению концентрации примеси в кристаллах к концентрации ее в солевой части маточного раствора при конечных условиях кристаллизации. Следует отличать практический коэффициент распределения от равновесного, характеризующего фракционирование примеси в условиях термодинамического равновесия между твердой фазой и маточным раствором. Величина этого коэффициента для каждой пары веществ является константой, зависящей от температуры, а в некоторых случаях и от рН раствора. [26]
 |
Схема установки для выращивания монокристалла. [27] |
Степень очистки по длине прутка зависит от коэффициентов распределения примесей и отношения х / l: чем меньше К, тем, как следует из формулы (18.3), лучше очищается полупроводник. Лодочку ( или индуктор) перемещают с постоянной скоростью, что обеспечивает постоянство К. Передвигаясь к правому концу прутка, жидкая фаза и кристалл обогащаются примесью. Степень очистки возрастает, если при одинаковой длине прутка ширина расплавленной зоны I будет меньше. Кроме того, степень очистки можно повысить, применяя многократные проходы. [28]
С одной стороны, поскольку с увеличением пересыщения коэффициент распределения примеси стремится к единице ( § 1.8), возрастание пересыщения должно приводить к более равномерному вхождению примеси. [29]
 |
Сорбция фенантролината Fez катионитом КУ-2 из растворов А1С1з в различных средах. [30] |
Страницы: 1 2 3 4