Коэффициент - распыление
Cтраница 3
Вернувшись к разделу, посвященному коэффициенту распыления, можно убедиться, что такая зависимость приблизительно верна в некоторых случаях для определенных интервалов энергий. Эта теория не учитывает потери энергии на электронные возбуждения и считает твердое тело неупорядоченным, поэтому эффекты, связанные с кристаллографической ориентацией мишени, она, естественно, объяснить не может. [31]
 |
Скорости распыления материалов [ Л. 6 - 37 ]. [32] |
При энергии иона 500 эВ коэффициент распыления для кремния 0 4 атомов / ион, для золота 2 4 атомов / ион. [33]
На рис. 2.25 показана зависимость коэффициента распыления от энергии ионов. При энергиях, соответствующих участку /, распыления мишени практически не происходит вплоть до пороговой энергии. На участке II наблюдается почти линейный рост коэффициента распыления с увеличением энергии ионов. Уменьшение коэффициента распыления при больших энергиях ( участок / / /) объясняется проникновением ионов в глубину материала с последующим рассеянием их энергии главным образом в объеме. [34]
Таким образом, для низких энергий ионов коэффициент распыления пропорционален энергии бомбардирующих ионов и обратно пропорционален теплоте сублимации. [35]
Следовательно, это поле сильно влияет на коэффициент вторичного распыления материала пленки. Предполагается, что бомбардируемая во время осаждения пленка окиси меди будет испускать в основном атомы кислорода, поскольку связь между атомами меди значительно сильнее, чем связь между атомами меди и кислорода. Измеряя скорости осаждения при различных приведенных полях и концентрациях кислорода, Перпи сумел построить трехмерные фазовые диаграммы для ряда окисных соединений, в том числе и для системы медь - кислород. [37]
Для количественной характеристики ионного травления вводят понятие коэффициента распыления s, определяемого отношением числа распыленных атомов мишени к числу падающих ионов. [38]
При наклонном падении ионов наблюдается существенное увеличение коэффициента распыления для многих материалов. Это обстоятельство может, по крайней мере частично, компенсировать малые плотности ион ного тока, которые имеют место при распылении ионными пучками. Особый интерес должно представлять исследование более высоких энергий испускания атомов, распыляемых в прямом направлении при облучении мишени под малыми углами к ее поверхности. [39]
В используемом для получения большинства плевок диапазоне энергий коэффициенты распыления с повышением энергии ионов увеличиваются относительно медленно. С другой стороны, число частиц, падающих на катод, пропорционально плотности тока. Следовательно, пж является значительно более важным параметром, определяющим скорость нанесения, яем напряжение на электродах. [40]
 |
Зависимость коэффи. [41] |
Основным параметром, характеризующим процесс распыления, является коэффициент распыления / Ср, равный числу выбитых атомов, приходящихся на один ион, упавший на мишень. На рис. 2.2 в качестве примера показана зависимость / Ср от энергии бомбардирующих ионов Еи для меди. Последующее увеличение Еи вызывает падение / Ср. Напыление пленок ведут обычно в области, показанной на рис. 2.2 штриховкой. [42]
В 1942 г. Фетц [15] установил, что коэффициент распыления увеличивается с увеличением угла падения ( относительно нормали к поверхности) бомбардирующих ионов. Оба эти эффекта несовместимы с представлениями о термическом испарении как механизме ионного распыления. [43]
На рис. 3 - 17 показан пример зависимости коэффициента распыления от температуры мишени для некоторых металлов. [45]
Страницы: 1 2 3 4