Коэффициент - усиление - транзистор
Cтраница 1
Коэффициенты усиления транзисторов значительно зависят от тока. Обычно коэффициент apN горизонтального р - п - - транзистора достигает максимального значения при меньших токах, чем anN вертикального п - р - я-транзистора. [1]
 |
Принципиальная схема. [2] |
Коэффициентом усиления транзистора ( ВСт) называется отношение силы тока коллектора к силе тока базы. [3]
Поскольку коэффициент усиления транзистора Г2 больше единицы, то изменение тока / Э2 является определяющим: небольшое изменение тока 1Э1 на Ai Bl приводит к изменению тока гэ2 на Л / Э2 A / 3t - Поэтому положительная обратная связь между каскадами является преобладающей. [4]
Уменьшение коэффициента усиления транзистора при больших токах из-за перехода в режим насыщения также приводит к искажению формы усиливаемого сигнала. [5]
 |
Схема блокинг-генератора с компенсацией изменения уровня срабатывания. [6] |
Так как коэффициент усиления транзистора при повышении температуры также несколько падает, приходится не только компенсировать дрейф входной характеристики, но даже обеспечивать некоторую перекомпенсацию. На рис. 28, б изображена схема, в которой усилительный каскад запуска блокинг-генератора используется также для компенсации обоих факторов. [7]
При этом коэффициенты усиления транзисторов снижаются настолько, что возникает угроза потери элементами работоспособности. В связи с этим идут интенсивные поиски методов повышения коэффициентов усиления транзисторов в микрорежиме. В работе [1] было предложено использовать транзистор в режиме микротоков при лавинном пробое коллекторного перехода. Такое использование позволяет существенно повысить величину коэффициентов усиления; при этом за счет малых токов коллектора снимается главный недостаток лавинного режима - опасность возникновения вторичного пробоя, В связи с этим возникает вопрос о возможности использования лавинных транзисторов в микромощных логических схемах. [8]
Представлены таблицы коэффициента усиления СВЧ транзистора в режиме двухстороннего согласования в функции нормализованных параметров его физической эквивалентной схемы, а также нормализованные частотные кривые коэффициента шума. Нормализация параметров эквивалентной схемы ( учитывающей паразитные параметры транзистора) позволяет охватить сравнительно небольшой по объему таблицей широкий класс СВЧ транзисторов. [9]
Как известно, коэффициент усиления транзистора по току в обратном направлении ( плюс напряжения на коллекторе) примерно в 2 5 раза меньше, чем в прямом направлении. [10]
 |
Векторные диаграммы токов транзистора на разных частотах.| Коллекторная цепь. [11] |
На некоторой частоте коэффициент усиления транзистора по мощности даже при согласованной нагрузке становится равным единице. Это означает, что транзистор на такой частоте уже нельзя рассматривать как активный элемент электрической схемы. [12]
Здесь а - коэффициент усиления транзистора, определяемый по (27.14), а / у - темновой ток транзистора с отключенной базой. [13]
Известно, что коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером В изменяется при изменении температуры. Известно также, что характер изменения коэффициента усиления В при снижении температуры от 20 С ( 293 К) до - 60 С ( 213 К) может носить как падающий, так и возрастающий характер. [14]
Необходимо учитывать снижение коэффициента усиления транзистора Pmin при больших токах. [15]
Страницы: 1 2 3 4