Коэффициент - усиление - транзистор
Cтраница 3
На более высоких частотах ( область Е) коэффициент усиления транзистора по мощности уменьшается до единицы. На частотах выше fmax транзистор ведет себя как пассивный четырехполюсник. [31]
 |
Динамическая характе-ристика лавинного транзистора. [32] |
Как известно, для логических схем различного типа коэффициент усиления транзистора определяет нагрузочную способность схемы. Поэтому в схемах с лавинным пробоем коллекторного перехода с ростом напряжения увеличивается нагрузочная способность. В нагрузке, включенной последовательно с лавинным транзистором в цепь эмиттера или коллектора, протекает импульс тока, фронт которого определяется лавинными процессами. [33]
Рассмотрен вопрос о влиянии поверхностной рекомбинации на величину коэффициента усиления транзистора в инверсном включении. [34]
В § 24 - 1 рассматривается способ изменения коэффициента усиления транзистора путем изменения положения рабочей точки по постоянному току. [35]
 |
Определение ц по характеристикам транзистора.| Определение Rm по характеристике транзистора ir. [36] |
Для определения ( хр яеобходи - М О найти коэффициенты усиления транзисторов, входящих в составной ( fin, i - M2, Щз), или звать их параметры ( гб, гъ, гк, р) в схеме - с общим эмиттером. [37]
Поскольку R может во много раз превосходить R3, коэффициент усиления транзистора по напряжению может достигать значительной, величины. [38]
Из последнего выражения видно, что с ростом частоты коэффициент усиления транзистора, а следовательно, и усилительного каскада - уменьшается. [39]
Для уменьшения влияния температуры на работу транзисторов и поддержания коэффициента усиления транзистора постоянным в определенном температурном интервале в усилительных устройствах необходимо применять специальные стабилизирующие средства. [40]
Для обеспечения стабильности амплитуды напряжения и снижения критичности схемы к коэффициенту усиления транзистора устанавливаем режим насыщения. [41]
При проверке условия, выраженного (6.14), учитываются минимально возможные значения коэффициентов усиления транзисторов. Как видно из (6.13), при R & Rj, что всегда выполняется, для схемы на рис. 6.3 значение / О. [42]
Соотношения ( 2) и ( 3) позволяют вычислить зависимость коэффициента усиления транзистора в функции его 5-параметров. Вычисления были проделаны для широкого набора параметров эквивалентной схемы. [43]
Известно также, что на величину обратного тока перехода и величину коэффициента усиления транзистора сильно влияет скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда. [44]
Из формул ( 13) и ( 14) видно, что коэффициенты усиления транзистора по напряжению и мощности равны отношению сопротивления нагрузки в цепи коллектора к сопротивлению цепи эмиттера, поэтому транзисторы представляют собой преобразователи сопротивления. [45]
Страницы: 1 2 3 4