Коэффициент - вторичная электронная эмиссия
Cтраница 1
Коэффициент вторичной электронной эмиссии зависит от свойств и состояния поверхности, служащей эмиттером вторичных электронов, и от энергии первичных электронов. [1]
 |
Спектральные характеристики фотоэмиттеров. [2] |
Коэффициент вторичной электронной эмиссии зависит от свойств и состояния поверхности, служащей эмиттером вторичных электронов, и от энергии первичных электронов. На рис. 1.10 изображены кривые зависимости коэффициента йторичной электронной эмиссии 0 от энергии первичных электронов для некоторых металлов и диэлектриков. [3]
Коэффициент вторичной электронной эмиссии динодов ( эмиттеров вторичных электронов) должен быть достаточно большим. [4]
Величина коэффициента вторичной электронной эмиссии зависит как от свойств эмиттеров, так и от скорости и направления первичных электронов. [5]
Как зависит коэффициент вторичной электронной эмиссии от энергии первичных электронов. [6]
 |
Зависимость коэффициента вторичной эмиссии а от скорости первичных электронов при различных значениях угла падения. [7] |
Как уже указывалось, значение коэффициента вторичной электронной эмиссии зависит также от направления движения первичных электронов. [8]
 |
Фотоумножители. а ФЭУ-31, б ФЭУ-51, в ФЭУ-18А, г ФЭУ-22, Э ФЭУ-38, е ФЭУ-12. [9] |
Коэффициент усиления одного каскада ФЭУ определяется коэффициентом вторичной электронной эмиссии а и тем, какая часть а эмиттированных электронов достигает следующего эмиттера. [10]
Для примера на рис. 154 приведена качественная зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии б от энергии Е падающих электроном для K. С увеличением энергии электронов 6 возрастает, так как первичные электроны все глубже проникают в кристаллическую решетку и, следовательно, выбивают больше вторичных электронов. Однако при некоторой энергии первичных электронов б начинает уменьшаться. Это связано с тем, что с увеличением глубины проникновения первичных электронов вторичным все труднее вырваться на поверхность. [11]
Динод - электрод в фотоэлектронном умножителе, покрытый слоем, обладающим высоким коэффициентом вторичной электронной эмиссии. [12]
Эти покрытия являются нераспыляемыми газопоглотителями, увеличивают излучательную способность поверхности деталей и снижают коэффициент вторичной электронной эмиссии. [14]
Выше рассмотрен режим работы ПВМС с неравновесной записью зарядового рельефа [41], когда коэффициент вторичной электронной эмиссии ниже единицы. [15]
Страницы: 1 2 3 4