Коэффициент - вторичная электронная эмиссия
Cтраница 3
Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обус-словлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками материала, например работой выхода электрона при термоэлектронной эмиссии или фотоэмиссии; кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. [31]
Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии; кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [32]
Эмиттер, приготовленный по указанному способу, по своим характеристикам не отличается от пленок магния, полученных испарением в атмосфере кислорода. Наблюденные большие значения коэффициента вторичной электронной эмиссии у данного катода обусловлены зарядкой поверхности ( автоэлектронная эмиссия; см. предыдущий параграф); иногда имеет место даже явление пробоя. В последнем случае в местах пробоя происходит сплавление никелевой подкладки с окисью магния. [33]
Это объясняется тем, что при увеличении угла падения при одном и том же пути первичного электрона в эмиттере глубина проникновения оказывается меньшей и, следовательно, вероятность выхода вторичных электронов увеличивается. На рис. 2 - 10 показана зависимость изменения коэффициента вторичной электронной эмиссии от угла падения для некоторых металлов. [34]
Возникающая при этом вторичная электронная эмиссия может оказаться необходимой для поддержания нормальной работы прибора. Следовательно, [ устойчивость поверхности к электронной бомбардировке и коэффициент вторичной электронной эмиссии могут быть важной характеристикой катода. [35]
 |
Спектр распределения вторичных электронов. [36] |
Топографический контраст изображения определяется изменением интенсивности вторичной электронной эмиссии в зависимости от положения элемента поверхности по отношению к пучку электронов. Композиционный контраст изображения образцов сложного фазового состава обусловлен раз-личными значениями коэффициента вторичной электронной эмиссии. [37]
Топографический контраст изображения определяется изменением интенсивности вторичной электронной эмиссии в зависимости от положения элемента поверхности по отношению к пучку электронов. Композиционный контраст изображения образцов сложного фазового состава обусловлен различными значениями коэффициента вторичной электронной эмиссии. [38]
Вторичная электронная эмиссия за счет фотоэффекта имеет значение лишь в аномальном разряде. Однако, как будет показано ниже, энергия падающих на катод ионов в явном виде не зависит от коэффициента вторичной электронной эмиссии, и для нас не имеет принципиального значения, каким образом выполняется стационарность газового разряда. [39]
При этом один первичный электрон может передать свою энергию нескольким электронам эмиттера; ПОЭТОМУ с ростом энергии первичных электронов увеличивается число электронов, получивших дополнительную энергию, достаточную для выхода из эмиттера, и, следовательно, усиливается вторичная электронная эмиссия. Однако при дальнейшем увеличении энергии первичных электронов глубина проникновения их в эмиттер увеличивается настолько, что выход электронов получивших дополнительную энергию, оказывается затрудненным. Этим объясняется постепенное снижение коэффициента вторичной электронной эмиссии после достижения им максимума. [40]
Таким образом, Vп возрастает с увеличением средней энергии необходимой для образования одной пары ионов в газе. Последняя зависит от природы газа. Vn также растет при уменьшении коэффициента вторичной электронной эмиссии катода у. Эта величина зависит от вещества катода, природы газа и геометрии прибора. [41]
Вторичной электронной эмиссией называют эмиссию электронов с поверхности металла при его бомбардировке электронами. Электроны, ударяющиеся о металл ( называемые первичными), сообщают свою энергию электронам в приповерхностном слое металла, которая оказывается достаточной для совершения работы выхода, и электроны ( называемые вторичными) покидают бомбардируемую поверхность. Отношение числа вторичных электронов к числу первичных называется коэффициентом вторичной электронной эмиссии. [42]
 |
Зависимость коэффициента усиления каскада от напряжения на каскаде для различных типов ФЭУ. [43] |
Разработано много режимов активировки различных типов полупрозрачных фотокатодов, но во всех случаях весьма критичной является дозировка щелочных металлов. Иногда даже небольшие их избытки при активировке приводят к необратимому ухудшению чувствительности фотокатода. Проработка же массивных напыленных на диноды слоев сурьмы для получения максимальной величины коэффициента вторичной электронной эмиссии требует наличия в объеме значительных количеств щелочных металлов. [44]
Все остальные причины шумов принципиально можно устранить полностью. Шумы мерцания устраняются применением стабильных катодов; шумы ионизации - использованием хороших газопоглотителей; шумы динатронного эффекта уменьшаются в результате покрытия электродов пленками с небольшим коэффициентом вторичной электронной эмиссии, а также таким расположением системы электродов, чтобы исключалось попадание электронов на изоляторы и стекло баллона. В некоторых случаях внутренняя поверхность баллона покрывается слоем графита, обладающим малым коэффициентом вторичной электронной эмиссии. Шумы микрофонного эффекта устраняются жестким креплением электродов. [45]
Страницы: 1 2 3 4