Cтраница 1
Эффективный коэффициент распределения является основным технологическим параметром процессов направленной кристаллизации. [1]
![]() |
Схема установки для получения монокристаллов германия вытягиванием из расплава. [2] |
Эффективный коэффициент распределения всегда лежит между значением равновесного коэффициента и единицей. [3]
Эффективный коэффициент распределения может принимать любое значение между ko и единицей. Бартон и др. [290] провели экспериментальное исследование роста легированного сурьмой германия по методу Чохральского. Коэффициент диффузии D, полученный сопоставлением теории и эксперимента, имеет приемлемую величину. [4]
Эффективный коэффициент распределения вначале с ростом g увеличивается, а затем падает. Отношение ( 1 - k) / ( l - g) также вначале с ростом g растет, а затем падает. [5]
Первый эффективный коэффициент распределения k отражает взаимодействие расплава с кристаллом; второй, эффективный коэффициент испаре-ния kn отражает взаимодействие расплава с контактирующей с ним атмосферой. [7]
![]() |
Схема установки для очистки вещества методом Чо-хральского.| Фронт кристаллизации в методе вытягивания. [8] |
Термин эффективный коэффициент распределения неудачен, так как коэффициент распределения - константа равновесия при данной температуре. Коэффициент к не обладает свойствами константы равновесия, так как зависит от концентрации. [9]
Если эффективный коэффициент распределения примеси близок к единице и процесс очистки требует больших затрат времени и энергии, прибегают к различным приемам. Например, в расплавленную зону добавляют третий компонент, который не смешивается с очищаемым веществом, но растворяет примеси. Иногда добавляют третий компонент, образующий с основным компонентом эвтектическую смесь, в результате чего отделение примеси производится не от самого вещества, а от образующейся эвтектики. После такой очистки от примеси добавленный компонент удаляется отгонкой или другим каким-либо методом. [10]
Если эффективный коэффициент распределения примеси близок к единице и процесс очистки требует больших затрат времени и энергии, прибегают к различным приемам. Например, добавляют в расплавленную зону третий компонент, не смешивающийся с очищаемым веществом, но растворяющий примеси. Иногда добавляют третий компонент, образующий с основным компонентом эвтектическую смесь, в результате чего примесь отделяется не от самого вещества, а от образующейся эвтектики. После такой очистки от примеси добавленный компонент удаляют отгонкой или каким-либо другим методом. [11]
Введем теперь эффективный коэффициент распределения k, который будем называть просто коэффициентом распределения, полагая, что это не приведет к недоразумениям. [12]
![]() |
Зависимость kL от / при ВНК ( 1 и ЦНК ( 2 для примесей Mg2 ( a, Си2 ( б, РЪ2 ( в, Мп2 ( г, Со2 ( д, Ni2 ( e при 34000, 9 0 99. [13] |
Зависимости эффективных коэффициентов распределения от скорости кристаллизации для примесей магния ( II) и меди ( II) в NaNO3 показаны на рис. 77, 78 и обсуждены в разд. На рис. 94 представлены зависимости характеристических коэффициентов распределения k исследованных примесей от / при ЦНК и ВНК. Из рисунка видно, что в соответствии со сделанными ранее ( см. разд. [14]
Увеличение эффективного коэффициента распределения по сравнению с равновесным при k0 происходит также за счет адсорбции. При сильной адсорбции примесь захороняется нарастающими слоями, не успев десорбироваться. [15]