Cтраница 3
Именно эта величина эффективного коэффициента распределения отражает конкретные условия кристаллизации. Этому способбтвует медленность процесса кристаллизации ( малые v), применение перемешивания ( которое уменьшает толщину диффузионного слоя 8) и большие значения коэффициентов диффузии примеси. Толщина обогащенного слоя в завиеимоети от уеловий перемешивания может составлять 0 1 - 0 001 ем. [31]
![]() |
Участки диаграмм состояния в области разбавленных растворов. [32] |
Именно эта величина эффективного коэффициента распределения отражает конкретные условия кристаллизации. Этому способствует медленность процесса кристаллизации ( малые v), применение перемешивания ( которое уменьшает толщину диффузионного слоя 5) и большие значения коэффициентов диффузии примеси. [33]
Ниже приведены значения эффективного коэффициента распределения кадмия в цинке для пяти слитков, подвергнутых зонной очистке в ультразвуковом поле. [34]
Фрейндлиха; g - эффективный коэффициент сорбционного распределения ( при С 10 000 Бк / см3); k - коэффициент фильтрации, м / сут; d & Jdw - коэффициент неоднородности; SCPC - суммарное содержание пы-леватых, илистых и глинистых частиц, %; GSV - среднеквадратичное отклонение для распределения зерен минерального скелета по размеру. [36]
Чаще всего используется значение эффективного коэффициента распределения k, вычисляемого как отношение концентрации примеси в кристалле к концентрации примеси в расплаве, из которого при данных условиях был получен данный кристалл. Для этого анализируют на содержание примесей самый начальный участок кристалла, а концентрацию расплава принимают равной исходной концентрации, предполагая, что она существенно не изменяется при образовании начального участка. Эффективный коэффициент распределения может быть определен также для любого другого момента процесса направленной кристаллизации, если известно распределение примеси до или после участка, закристаллизовавшегося в этот момент. [37]
Определенное влияние на величину эффективного коэффициента распределения оказывает кристаллографическая ориентация плоскости подложки. Экспериментально установлено, что на плоскости ( III) В эффективные коэффициенты распределения доноров kD больше, а акцепторов kA меньше, чем на плоскости ( III) А. Ориентационная зависимость эффективных коэффициентов распределения в процессе жидкофазной эпитаксии, так же как и при выращивании объемных кристаллов, может быть объяснена различным характером адсорбции примеси на разным образом ориентированных плоскостях полупроводников. [39]
Варианту 1 соответствует равенство эффективного коэффициента распределения Л равновесному коэффициенту / Со, который в свою очередь соответствует равновесной диаграмме состояния. Вариант 5 характеризуется эффективным коэффициентом распределения, равным единице, и слиянием ликвидуса и солидуса на неравновесной диаграмме состояния. Остальным вариантам соответствуют промежуточные значения / С. [40]
Это влияет на величину эффективного коэффициента распределения примеси k, а следовательно, и на степень очистки. [41]
Метод основан на зависимости эффективного коэффициента распределения легирующей примеси от условий выращивания монокристалла. Программирование ведется так, чтобы изменение концентрации примеси в расплаве за счет сегрегации компенсировалось соответствующим изменением коэффициента распределения. [42]
Коэффициент испарения наряду с эффективным коэффициентом распределения принадлежит к числу важнейших параметров кристаллизационного процесса. Экспериментально он может быть получен следующим образом. [43]
![]() |
Проверка приемлемости. [44] |
Выше мы видели, что эффективный коэффициент распределения на основной, значительной части слитка остается практически постоянным. [45]