Статический коэффициент - передача - ток
Cтраница 3
Пределы измерения миллиамперметра выбирают исходя из возможных значений статического коэффициента передачи тока п2 Э испытуемых транзисторов. [31]
Техническая характеристика установки для снятия вольтамперных характеристик и измерения статического коэффициента передачи тока приведена ниже. [32]
Так как величина статического коэффициента передачи тока эмиттера aN больше статического коэффициента передачи тока коллектора а, величина динамического сопротивления открытого транзистора в нормальном включении оказывается меньше, чем в инверсном. [33]
Обычно это условие удовлетворяется раньше, чем условие равенства единице статических коэффициентов передачи тока первого и второго транзисторов, составляющих тиристорную структуру, так как дифференциальные коэффициенты передачи несколько больше статических. [34]
Обычно это условие удовлетворяется раньше, чем условие равенства единице статических коэффициентов передачи тока первого и второго транзисторов, составляющих тиристорную структуру, гак как дифференциальные коэффициенты передачи несколько больше статических. [35]
 |
Двухкаскадные усилители 34 на транзисторах структуры p - n - р ( а и на транзисторах структуры n - p - п ( б. [36] |
В любом из этих вариантов усилителя могут работать транзисторы со статическим коэффициентом передачи тока Ь21э 20 - 30 и больше. В каскад предварительного усиления ( первый) надо поставить транзистор с большим коэффициентом Ь21э - Роль нагрузки В1 выходного каскада могут выполнять головные телефоны, телефонный капсюль ДЭМ-4м или абонентский громкоговоритель. [37]
В любом случае следует учесть, что применение транзисторов с большим статическим коэффициентом передачи тока уменьшает дифференциальное сопротивление аналога. [38]
Вычисляем величину тока базы транзистора по формуле ( 4), подставляя в нее минимальное значение статического коэффициента передачи тока Л21Э транзистора. [39]
 |
Схема электрическая принципиальная комбинированного прибора. [40] |
Предназначен для измерения постоянного тока и напряжения, сопротивления постоянному току, обратного и начального токов коллектора и статического коэффициента передачи тока биполярных транзисторов любой мощности и структуры, а также для проверки исправности диодов. [41]
Оценка качества электронно-дырочных переходов сводится к визуальному контролю кристаллов, проверке формы их вольтампер-ной характеристики ( ВАХ) и величины статического коэффициента передачи тока. Качество сплавления характеризуется также для транзисторов обратными токами переходов, а для диодов - обратными напряжениями. Обратные токи переходов должны быть как можно меньшими, а обратные напряжения - как можно большими. [42]
Эти зависимости наряду с формулами (3.42) и (3.45) дают возможность заключить, что использование составного транзистора в микрорежиме позволяет значительно повысить статический коэффициент передачи тока. [43]
В зависимости от типа и мощности транзистора классификационными параметрами могут быть коэффициент передачи тока, предельная частота усиления, предельная частота генерации, статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, модуль коэффи - циента передачи на высокой частоте, максимально допустимое обратное напряжение. Расшифровка этих параметров будет дана ниже. [44]
К основным параметрам диодных ОП относятся: входное напряжение, максимальное выходное напряжение, время нарастания выходного сигнала, время спада выходного сигнала, статический коэффициент передачи тока. Остальные параметры диодных ОП аналогичны параметрам резисторных ОП. [45]
Страницы: 1 2 3 4