Статический коэффициент - передача - ток - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Никогда не называй человека дураком. Лучше займи у него в долг. Законы Мерфи (еще...)

Статический коэффициент - передача - ток

Cтраница 4


В [3] показано, что выходное напряжение жестко связано с минимальным значением входного напряжения и не зависит от температуры, времени, сопротивления нагрузки и статического коэффициента передачи тока основного транзистора фильтра. Минимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора VT2 определяется числом диодов, включенных между конденсатором и базой этого транзистора и служащих для смещения уровня постоянной составляющей выходного напряжения.  [46]

Для контроля оптимальности и правильности выбора режимов изготовления р - / г-переходов и своевременной отбраковки дефектных переходов проверяют вольтамперные характеристики переходов на электроннолучевой трубке осциллографа и статический коэффициент передачи тока транзисторных структур.  [47]

По этим соображениям при крайних температурах обычно измеряют обратный ток коллекторного перехода / кво и либо коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером р, либо статический коэффициент передачи тока В. Действительно, эти параметры являются определяющими при работе транзистора в подавляющем большинстве классов схем, сильно зависят от температуры окружающей среды и достаточно просто измеряются.  [48]

Под степенью насыщения понимается отношение Вст / в / / и, где / о - ток базы; / к - ток коллектора, соответствующий току / в в данном режиме, а Вст - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером для данного тока / к и для относительно высокого напряжения, когда можно считать, что коэффициент передачи перестает зависеть от напряжения.  [49]

Индекс с-норма параметра по ТУ для сдаточных испытаний / о6р - обратный ток диода; Unp-прямое напряжение на диоде; т - время восстановления обратного сопротивления; / ко, / - обратный ток коллектора и эмиттера соответственно; RHK - сопротивление насыщения транзистора; В, - статический коэффициент передачи тока; Абст наЧ - изменение статического коэффициента пере-сл дачи тока; С / пр имп-импульсное прямое напряжение; С / вх-входное напряжение.  [50]

Выражение (5.3) представляет собой уравнение ВАХ диодного тиристора в закрытом состоянии. Напомним, что статический коэффициент передачи тока эмиттера транзистора растет с увеличением тока эмиттера в результате уменьшения влияния рекомбинации в эмиттерном переходе и появления электрического поля в базе из-за увеличения градиента концентрации носителей заряда. Коэффициент передачи тока эмиттера растет также с увеличением напряжения на коллекторном переходе в результате уменьшения толщины базы и увеличения коэффициента лавинного размножения в коллекторном переходе. Эти четыре физических фактора вызывают рост суммарного статического коэффициента передачи тока тиристорной структуры при увеличении напряжения и соответственно тока в закрытом состоянии тиристора.  [51]

Параметр п 21э - статический коэффициент передачи тока, определенный при заданном токе коллектора.  [52]

Добавочный индекс э в / i-параметрах указывает на то, что параметры транзистора измерены при его включении по схеме с общим эмиттером. Коэффициент / 121Э является статическим коэффициентом передачи тока биполярного транзистора при его включении по схеме с общим эмиттером.  [53]

54 Эффект смыкания переходов в транзисторе. а - энергетическая диаграмма транзистора при небольшом напряжении на коллекторе, б - смыкание областей объемного заряда коллекторного и эмиттерного переходов. [54]

С увеличением напряжения на коллекторном переходе статический коэффициент передачи тока эмиттера с учетом размножения носителей в коллекторном переходе возрастает и при напряжении t / кэпроб становится равным единице. Это напряжение при некоторых условиях может оказаться пробивным для транзистора в схеме с общим эмиттером.  [55]

56 Эффект смыкания переходов в транзисторе. а - энергетическая диаграмма транзистора при небольшом напряжении на коллекторе. б - смыкание областей объемного заряда коллекторного и эмиттерного переходов. [56]

С увеличением напряжения на коллекторном переходе статический коэффициент передачи тока эмиттера с учетом размножения носителей в коллекторном переходе возрастает и при напряжении Ь кэпроб становится равным единице. Это напряжение при некоторых условиях может оказаться пробивным для транзистора в схеме с общим эмиттером.  [57]

58 Принципиальная схема приемника 0 - V-3.| Монтажная плата приемника. [58]

В первый каскад усилителя надо ставить тот из транзисторов, который имеет наибольший статический коэффициент передачи тока, а в выходной-с наименьшим h2i3 - Если, например, коэффициент Ь21э одного транзистора будет 20, второго-80, а третьего-60, то первый из них должен работать в третьем, второй-в первом, а третий-во втором каскадах. Подбирая сопротивления резисторов смещения, попробуй изменять и нагрузочные резисторы ( от 3 до 10 кОм), добиваясь наибольшей громкости, сохраняя при этом токи покоя коллекторных цепей, указанные на схеме.  [59]

Далее уменьшают напряжение питания до 7 5 В и наблюдают искру в зазоре разрядника. В крайнем случае следует заменить транзисторы VT6, УГ7, VT8 другими, с большим значением статического коэффициента передачи тока.  [60]



Страницы:      1    2    3    4