Примесная атмосфера - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Вам помочь или не мешать? Законы Мерфи (еще...)

Примесная атмосфера

Cтраница 1


1 Непрерывная рекристаллизация в сплавах. [1]

Выделение частиц уменьшает примесные атмосферы на дислокациях и таким образом облегчает их перераспределение.  [2]

Образование на дислокациях примесных атмосфер ( Коттрелла, Сузуки, Снука) затрудняет их перемещение, особенно при низких температурах, повышает напряжение, необходимое для начала работы дислокационных источников. На картине пластической деформации это может проявляться по-разному. Блокировка дислокационных источников затрудняет переход к новым системам скольжения, поэтому примеси могут вызывать, в частности, удлинение стадии легкого скольжения.  [3]

Косвенные доказательства существования примесных атмосфер на дислокациях были получены и при исследовании картин травления монокристаллов кремния, сильно легированных фосфором и мышьяком. В бездислокационных монокристаллах, содержащих 1018 - 1019 слг3 мышьяка или фосфора были обнаружены очень четкие периодические неоднородности распределения примеси. При той же концентрации легирующей примеси в кристаллах, выращенных в тех же условиях, но содержащих 5 103 смг2 дислокаций, эти неоднородности были выражены намного слабее.  [4]

В работе [388] показано, что примесные атмосферы на дислокациях в Ge являются основным препятствием для взаимодействия последних с междоузельными атомами.  [5]

Коттреллу такое закрепление может быть достигнуто образованием примесных атмосфер. Возможны и другие способы закрепления, например частицами второй фазы. Зависимость высоты зуба текучести от числа подвижных дислокаций в исходном образце убедительно доказывают опыты с металлическими усами ( рис. 71) и кристаллами LiF. В бездислокационных yaix верхний предел текучести приближается к значениям теоретической прочности. Однако как только достаточное для начала напряжение течения рез-и больше) падает.  [6]

Второй основной механизм твердорастворного упрочнения - образование примесных атмосфер на дислокациях - действует в большинстве случаев лишь на начальных стадиях пластической деформации и влияет в основном на пределы упругости и текучести.  [7]

Влияние дислокаций становится заметным только тогда, когда образуется примесная атмосфера. Естественно, что в зависимости от состава примесной атмосферы влияние дислокаций может быть различным.  [8]

9 Границы под малыми углами в германии. [9]

Примеси имеют тенденцию осаждаться ( концентрироваться) на дислокациях, образуя так называемые примесные атмосферы, изменяя поведение и свойства дислокаций. Это наблюдается, например, в случае распада при низких температурах пересыщенного твердого раствора, который примеси могут образовать с полупроводником. При новом растворении при высоких температурах примеси покидают дислокации. Осаждение атомов примеси на дислокациях может приводить к улучшению электрических свойств полупроводника в результате подавления неблагоприятного действия как примесей, так и дислокаций при их взаимодействии.  [10]

11 Зависимость энергии активации установившейся ползучести сплава ОТ4 - 1 от величины приложенных напряжений а. [11]

Следовательно, при данном напряжении и температуре процесс ползучести контролируется движением дислокаций вместе с примесными атмосферами. При напряжениях выше 70 кГ / мм дислокации отрываются от атмосфер и скорость ползучести резко возрастает. При более низких напряжениях, наоборот, примеси блокируют дислокации. При этом по мере понижения напряжений ползучесть происходит с меньшими скоростями и при напряжениях, близких к Стр min, полностью прекращается.  [12]

13 Влияние водорода на ударную вязкость сплава ВТ15 при 195 К непосредственно после закалки до 195 К ( - 78 С ( / и после вылеживания в течение 10 сут. при комнатной температуре. [13]

К в воде и немедленно перенести в криостат с температурой 195 К ( - 78 С), то примесные атмосферы на дислокациях не успевают образовываться.  [14]

Котрелла при низких температурах, когда диффузионная подвижность примесных атомов мала, необходимо дополнительное напряжение для вырывания дислокации из примесной атмосферы. Это приводит снова к увеличению энергии кристалла.  [15]



Страницы:      1    2    3    4