Линейный коэффициент - поглощение
Cтраница 2
 |
Схема радиографического метода дефектоскопия бетона. [16] |
Исходя из вышеприведенного экспоненциального закона затухания гамма-лучей рассчитывают линейный коэффициент поглощения. [17]
Здесь / о - интенсивность падающего излучения; ц - Линейный коэффициент поглощения, зависящий от атомного номера поглощающего вещества и энергии излучения. [18]
Рх - интенсивность после прохождения через слой толщиной х см. Линейный коэффициент поглощения л представляет собой часть энергии, поглощенной слоем данного элемента толщиной 1 см. Заметим, что по традиции в уравнении ( 11 - 3) используются натуральные, а не десятичные логарифмы. [19]
Существенный прогресс достигнут в работе Гримвалл и Перс-сон [62], которые измерили линейные коэффициенты поглощения в Се ряда излучений. [20]
Значительно более перспективным в этом отношении оказался способ измерения концентрации по величине линейного коэффициента поглощения, для практического осуществления которого Уолш предложил весьма простое и эффективное экспериментальное решение. [21]
Что касается OH, то эта величина согласно (4.94) определяется подобно ат линейным коэффициентом поглощения ц, и при этом зависит от различия между углами падения г) 0 и отражения г) Л, обращаясь в нуль при симметричном отражении. [22]
Фпр - интенсивность потока излучения, прошедшего внутри изделия путь / д; ап - линейный коэффициент поглощения, зависящий от энергии излучения и свойств материала. [23]
В методе Ланга ( образцом служит тонкий кристалл с pi J 1, где ц - линейный коэффициент поглощения; t - толщина кристалла) и в методе Бормаиа ( образец - толстый кристалл с t да 10 - - 30) информация относится ко всему объему кристалла, освещаемому рентгеновскими лучами. Метод Бормана основан па эффекте аномального прохождения рентгеновских лучей ( эффект Бормана), заключающемся в том, что при выводе достаточно совершенного кристалла в отражающее положение поглощение рентгеновских лучей кристаллом резко уменьшается. Наиболее последовательное рассмотрение механизма формирования изображений дефектов на топограм-мах дается в рамках динамической теории рассеяния рентгеновских лучей. [24]
При 8f 0 второй член в фигурных скобках приобретает максимально возможное значение, а следовательно, линейный коэффициент поглощения ( для второго поля) - минимальную величину. Другими словами, минимум поглощения энергии имеет место при ее распространении вдоль отражающей плоскости. Таким образом, выражение (5.85) описывает волновое поле, строго локализованное в ( треугольном) участке поглощающего кристалла. [25]
 |
Схема толщиномера, основанного на поглощении излучения. [26] |
ЧЗСТИЦ или - квантов на входе и на выходе из слоя за время опыта; ц - линейный коэффициент поглощения характеризующий данный материал, слГ1; р возрастает увеличением атомного веса вещества и плотности материала. [27]
Здесь А0 и / о - амплитуда и интенсивность волны в точках х 0; а - линейный коэффициент поглощения упругих волн, зависящий от свойств среды и частоты волны. [28]
Здесь Ад и / о - амплитуда и интенсивность волны в точках х 0; а: - линейный коэффициент поглощения упругих волн, зависящий от свойств среды и частоты полны. [29]
 |
Схема образования геометрической нерезкости. [30] |
Страницы: 1 2 3 4