Cтраница 4
Если вещество, с-которым взаимодействует ионизирующее излучение, имеет сложный химический состав, то коэффициенты поглощения находятся для каждого химического элемента, а потом суммируются. Аналогично поступают и в том случае, если падающее на объект излучение имеет широкий спектр, который разбивают на ряд спектральных участков, где линейные коэффициенты поглощения и интенсивность излучения примерно постоянны, а затем суммируют интенсивности вторичных излучений. [46]
Очевидно, в общем случае оба выражения неэквивалентны, так как (5.85) дает коэффициент поглощения вдоль любого направления в кристалле, в то время как (5.87) - - вдоль нормали к входной грани. Напоминаем, что (5.85) имеет общее значение, так как применимо при любом соотношении параметров % hi и I Хлг а (5.87) лишь при хл С I Хлг1 - По-видимому, волновое поле в кристалле, порожденное падающей волной с узким волновым фронтом, имеет в некотором отношении более простую структуру, и задача определения линейного коэффициента поглощения в любом направлении имеет сравнительно простое решение без упомянутого приближения. [47]
Толщина стенок прерывателя выбрана такой, что переменная составляющая потока существенно зависит от измеряемой толщины, а постоянная - несущественно. Это можно осуществить с источниками гамма-излучения, для которых линейный коэффициент поглощения сильно зависит от толщины поглотителя в диапазоне измеряемых толщин и мало при больших толщинах. Так, например, для тулия-170 линейный коэффициент поглощения практически не изменяется для стали толщиной более 4 мм с кристаллом KJ ( Tl) толщиной 2 мм. [48]
При прохождении рентгеновских лучей через материю их энергия растрачивается на возбуждение атомов вещества. Лучи поглощаются, и их первоначальная интенсивность уменьшается. Величина, характеризующая ослабление интенсивности рентгеновских лучей на единице пути в веществе, называется линейным коэффициентом поглощения. [49]
Таким образом, при неизменном темпе генерации удельная фотопроводимость больше в тех полупроводниках, у которых свободные носители имеют большее время жизни и большую подвижность. Величина G определяется процессами взаимодействия света с полупроводником. Интенсивность монохроматического света / на глубине х связана с интенсивностью / о У поверхности полупроводника соотношением / / 0ехр ( - ах), где а - линейный коэффициент поглощения света. [50]
Поглощение становится проблемой, если кристалл имеет форму, значительно отклоняющуюся от сферической, или если рентгеновские лучи сильно поглощаются. Поскольку длина пути рентгеновских лучей через кристалл различна для различных значений hkl, величины Fobs, для которых пучок прошел большой путь в кристалле, будут искусственно занижаться. Если известны как расстояние каждой грани кристалла от его центра, так и углы дифрактометра, необходимые для приведения каждой грани в отражательное положение, то можно воспользоваться программой ЭВМ, чтобы ввести поправки в Fobs для данного изучаемого кристалла. Эти поправки необходимо вводить только в том случае, когда размеры кристалла значительно различаются, скажем в 6 или 7 раз, или когда линейный коэффициент поглощения ir превышает 30 для большинства нормальных кристаллов. [51]
Наполнители вводят в органические материалы для экономии, а также для придания им механической прочности. Наполнитель может быть инертным, например измельченный камень в асфальте, или он может быть связан физико-химическими силами с органической частью системы, как например при укреплении резиновой смеси сажей. Очевидно, инертный минеральный наполнитель при облучении органического материала будет уменьшать действие излучения на систему в целом. Механические свойства минеральных материалов под действием излучения изменяются медленно; поэтому наполнитель играет роль инертной структурной части системы. Однако такое простое объяснение может оказаться неверным, поскольку линейный коэффициент поглощения у минеральных наполнителей больше, чем у углеводородов. Более того, важные механические свойства наполненных образцов могут зависеть от чувствительности к облучению углеводородной части, причем действие облучения на углеводородную часть в наполненном образце может оказаться иным, чем в отсутствие наполнителя. [52]
Наполнители вводят в органические материалы для экономии, а также для придания им механической прочности. Наполнитель может быть инертным, например измельченный камень в асфальте, или он может быть связан физико-химическими силами с органической частью системы, как например при укреплении резиновой смеси сажей. Очевидно, инертный минеральный наполнитель при облучений органического материала будет уменьшать действие излучения на систему в целом. Механические свойства минеральных материалов под действием излучения изменяются медленно; поэтому наполнитель играет роль инертной структурной части системы. Однако такое простое объяснение может оказаться неверным, поскольку линейный коэффициент поглощения у минеральных наполнителей больше, чем у углеводородов. Более того, важные механические свойства наполненных образцов могут зависеть от чувствительности к облучению углеводородной части, причем действие облучения на углеводородную часть в наполненном образце может оказаться иным, чем в отсутствие наполнителя. [53]