Диаграмма - энергетические уровни
Cтраница 3
 |
Действие NOT-гейта или гейт-инвертора. Гамильтониан, описывающий магнитно-резонансное воздействие, результатом которого является дей. [31] |
В ] Диаграммы энергетических уровней для кубита. [32]
Ниже приведена диаграмма энергетических уровней. Предполагается, что перекрывание Аи лучше, чем Ag, так как приводит к более сильному расщеплению, хотя разница в энергиях становится больше первоначальной. Четыре электрона с заполненных орбиталей лигандов заполняют затем две связывающие молекулярные орбитали. [33]
 |
Действие NOT-гейта или гейт-инвертора. Гамильтониан, описывающий магнитно-резонансное воздействие, результатом которого является дей. [34] |
В) Диаграммы энергетических уровней для кубита. [35]
Ионы; диаграммы энергетических уровней. Для интерпретации спектра комплексов, в которых центральный атом имеет больше одного и меньше девяти электронов, необходимо построить диаграмму энергетических уровней при помощи термов Расселла - Саунде рса для - конфигурации свободного ( незакомплексованного) иона. [36]
Составим теперь диаграмму энергетических уровней таких молекулярных орбиталей. [37]
Теперь рассмотрим диаграмму энергетических уровней для двухатомных молекул. Электроны лежат столь близко к ядру и энергия их так низка, что они не могут играть заметную роль в образовании связи. Это почти всегда справедливо для так называемых электронов внутренних оболочек. Поэтому необходимо рассмотреть - только 2s - и 2р - орбитали с находящимися на них электронами. [38]
Покажите на диаграмме энергетических уровней, в чем состоит действие прямого и обратного смещения. [39]
Оно характеризуется диаграммой энергетических уровней, представленной на фиг. [40]
Диаграмма перемещения и диаграмма энергетических уровней, представленные на рис. 21.12, иллюстрируют замкнутую цепь для термоэлектронного преобразователя, содержащего один элемент, формирующий ток в сопротивлении нагрузки. Разрез по А А слева идентичен разрезу по А А справа. Слева направо представлены: часть катода с высокой работой выхода; резко вертикальный движущийся барьер у поверхности катода; плазменная оболочка, прилегающая к катоду, через которую спускаются эмиттированные электроны и поднимаются электроны плазмы; электропроводящая плазма; оболочка, прилегающая к аноду, через которую электроны под действием высокой тепловой энергии поднимаются и попадают на анод, образуя ток в цепи; резко вертикальный скачок движущегося барьера на самом аноде; анод с низкой работой выхода; сопротивление нагрузки и вторая половина катода. [41]
Покажите при помощи диаграммы энергетических уровней, почему паря-док связи в молекуле С2 равен 2 и почему в ней нет неспаренных электронов, но имеется низкоэнергетическое возбужденное состояние с двумя неспаренными электронами. [42]
Прежде чем применить диаграмму энергетических уровней для предсказания или интерпретации спектра октаэдрических комплексов ионов d2, например иона [ V ( H2O) e ] 3, необходимо познакомиться с квантовомеханическим правилом отбора, которое запрещает электронные переходы между состояниями с различной спиновой мультиплетностью. В спектре поглощения иона [ V ( H3O) 613 экспериментально обнаружены три полосы, соответствующие энергии 17 000, 25 000 и 38 000 см-г. При помощи диаграммы энергетических уровней, построенной аналогично диаграмме рис. 26.13 с учетом точных значений энергии различных состояний для свободного иона V111, можно обнаружить, что при А 21 500 см 1 должно быть три перехода с энергиями 17 300, 25 500 и 38 600 см-1. Как видно, этот вывод очень хорошо согласуется с экспериментом. Однако подобное совпадение с опытом получается не во всех случаях. Для высокоспиновых комплексов металлов первого ряда переходных элементов в обычных состояниях окисления иногда приходится несколько изменять истинные значения энергии состояний свободного иона. Такая процедура будет описана в разд. [43]
Теоретическая модель иллюстрируется диаграммой энергетических уровней, показанной на фиг. У поверхности полупроводника имеется слой пространственного заряда толщиной / в, в котором потенциал изменяется на величину УВ, а потенциальная энергия электрона соответственно на - еУв - Вне поверхности собственно германия имеется поверхностная пленка толщины ID - Заряд ионов а / на внешней поверхности пленки и заряды в поверхностных центрах типов а и b образуют двойной слой, в котором потенциал меняется на VD. Предполагается, что остальная часть работы выхода не зависит от газового окружения. [44]
 |
Окраска акво-комплексов первого ряда переходных элементов. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5