Верхняя долина

Cтраница 2

С увеличением напряженности поля до EZ энергия электронов начинает возрастать, часть их переходит в верхнюю долину, и в электропроводности принимают участие электроны верхней долины. [16]

Движение домена сильного поля вдоль образца GaAs. [17]

В области с пониженной концентрацией электронов происходит дальнейшее возрастание электрического поля, что в свою очередь приводит к переходу еще большего количества электронов в верхнюю долину и снижению их дрейфовой скорости. [18]

При слабых электрических полях практически все носители находятся в нижней долине, п - пй и плотность тока определяется выражением J - qn iE, что соответствует участку / на вольт-амперной характеристике рис. 5.2. При сильных полях можно предположить, что практически все электроны приобретут добавочную энергию, большую, чем A5i и окажутся в верхней долине. В этом случае п2жп0 и Jqnu i2E, что соответствует участку 3 вольт-амперной характеристики рис. 5.2. При средних напря-женностях электрического поля, когда справедливо выражение (5.1), вид зависимости плотности тока от напряжения определяется зависимостью концентраций электронов в долинах от напряженности электрического поля. [19]

Верхняя долина в отсутствии сильного электрического поля остается незаполненной. Когда электроны при возбуждении попадают в верхнюю долину, они становятся менее подвижными, по сравнению с электронами, находящимися в нижней долине. [20]

Верхняя долина в отсутствие сильного электрического поля остается незаполненной. Когда электроны при возбуждении попадают в верхнюю долину, их подвижность уменьшается, по сравнению с электронами, находящимися в нижней долине. При подключении к однородному образцу арсенида галлия напряжения, как показано на рис. 7.8, через него потечет ток. [21]

В заключение необходимо упомянуть перспективы нефтеносности западной флишевой зоны в горах Пипдос, особенно для площади долины Арах-тос, где флишевые осадки ( эоцен-олигоцен) мощностью около 1500 м имеют относительно ненарушенное залегание. Они, по-видимому, образуют обширную плоскую антиклиналь, параллельную верхней долине Арахтос, которую в свою очередь можно считать столь же важной с точки зрения поисков нефти. Интересно, что в Вордо в Аквитанском флише имеется соляный купол, который можно разрабатывать. [22]

Зонная структура куби - поверхности, f, jft в ческого Ge для различных ни - окрестности точки X зоны правлений симметрии. Бриллюэна. [23]

Падающая ветвь В АХ обусловлена потяжелением электронов и уменьшением их подвижности из-за ухода в верхние долины. [24]

При слабых полях подвижность электронов не зависит от напряженности поля Е, поэтому с увеличением поля Е дрейфовая скорость Vi возрастает пропорционально. Однако с ростом поля проис ходит увеличение скорости электронов на длине свободного пробега которое, как уже отмечалось, эквивалентно повышению температуры решетки по сравнению со случаем отсутствия поля. Энергия горячих электронов в нижней долине при некотором лоле Е может оказаться достаточной для перехода в верхнюю долину 2, где подвижность электронов меньше. [25]

Одно из объяснений эффекта Ганна может состоять в следующем. При наложении электрического поля электроны переходят в более высокие энергетические состояния, температура электронного газа повышается. Предположим, что зона проводимости имеет минимумы энергии, лежащие выше абсолютного минимума и имеющие значительно большую эффективную массу, чем в нижнем минимуме, подобно тому, как это изображено на рис. 42 для арсенида галлия. Взаимодействуя с фононами, электроны могут быть переброшены в верхние долины. Так как плотность состояний в верхней долине превосходит плотность состояний нижней долины, то электроны будут накапливаться в верхней долине. Но подвижность электронов верхней долины значительно меньше подвижности нижней долины, поэтому дрейфовая скорость электронов уменьшается, их вклад в проводимость уменьшается, и ток падает. Состояния в верхней долине являются неустойчивыми; электроны, взаимодействуя с фононами, переходят в нижнюю долину, что приводит к росту тока. Периодические колебания наблюдаются обычно в тонких образцах, что связано с механизмом возникновения повышенного сопротивления в полупроводниках. Чем больше напряженность поля, тем сильнее происходит процесс переброса электронов в верхние долины, но чем больше электронов перебрасывается в верхнюю долину, тем больше сопротивление в данной области полупроводника и тем большее напряжение падает на ней, что приводит к уменьшению поля в соседних областях полупроводника. Как показывают наблюдения, области повышенного сопротивления зарождаются у катода и перемещаются к аноду. [26]

В полупроводнике возможно существование нескольких зон проводимости, каждой из которых соответствует определенная энергия электрона. Пор) подавляющее большинство электронов находится в нижней долине. Пор) кинетическая энергия электронов значительно возрастает, увеличиваясь более чем на Л 0 36 эВ, вследствие чего начинается процесс интенсивного заселения верхней долины. [28]

Страницы: 1 2 3