Cтраница 3
Одно из объяснений эффекта Ганна может состоять в следующем. При наложении электрического поля электроны переходят в более высокие энергетические состояния, температура электронного газа повышается. Предположим, что зона проводимости имеет минимумы энергии, лежащие выше абсолютного минимума и имеющие значительно большую эффективную массу, чем в нижнем минимуме, подобно тому, как это изображено на рис. 42 для арсенида галлия. Взаимодействуя с фононами, электроны могут быть переброшены в верхние долины. Так как плотность состояний в верхней долине превосходит плотность состояний нижней долины, то электроны будут накапливаться в верхней долине. Но подвижность электронов верхней долины значительно меньше подвижности нижней долины, поэтому дрейфовая скорость электронов уменьшается, их вклад в проводимость уменьшается, и ток падает. Состояния в верхней долине являются неустойчивыми; электроны, взаимодействуя с фононами, переходят в нижнюю долину, что приводит к росту тока. Периодические колебания наблюдаются обычно в тонких образцах, что связано с механизмом возникновения повышенного сопротивления в полупроводниках. Чем больше напряженность поля, тем сильнее происходит процесс переброса электронов в верхние долины, но чем больше электронов перебрасывается в верхнюю долину, тем больше сопротивление в данной области полупроводника и тем большее напряжение падает на ней, что приводит к уменьшению поля в соседних областях полупроводника. Как показывают наблюдения, области повышенного сопротивления зарождаются у катода и перемещаются к аноду. [31]
Одно из объяснений эффекта Ганна может состоять в следующем. При наложении электрического поля электроны переходят в более высокие энергетические состояния, температура электронного газа повышается. Предположим, что зона проводимости имеет минимумы энергии, лежащие выше абсолютного минимума и имеющие значительно большую эффективную массу, чем в нижнем минимуме, подобно тому, как это изображено на рис. 42 для арсенида галлия. Взаимодействуя с фононами, электроны могут быть переброшены в верхние долины. Так как плотность состояний в верхней долине превосходит плотность состояний нижней долины, то электроны будут накапливаться в верхней долине. Но подвижность электронов верхней долины значительно меньше подвижности электронов нижней долины, поэтому дрейфовая скорость электронов уменьшается, их вклад в проводимость уменьшается, и ток падает. Состояния в верхней долине являются неустойчивыми; электроны, взаимодействуя с фононами, переходят в нижнюю долину, что приводит к росту тока. [32]
Одно из объяснений эффекта Ганна может состоять в следующем. При наложении электрического поля электроны переходят в более высокие энергетические состояния, температура электронного газа повышается. Предположим, что зона проводимости имеет минимумы энергии, лежащие выше абсолютного минимума и имеющие значительно большую эффективную массу, чем в нижнем минимуме, подобно тому, как это изображено на рис. 42 для арсенида галлия. Взаимодействуя с фононами, электроны могут быть переброшены в верхние долины. Так как плотность состояний в верхней долине превосходит плотность состояний нижней долины, то электроны будут накапливаться в верхней долине. Но подвижность электронов верхней долины значительно меньше подвижности нижней долины, поэтому дрейфовая скорость электронов уменьшается, их вклад в проводимость уменьшается, и ток падает. Состояния в верхней долине являются неустойчивыми; электроны, взаимодействуя с фононами, переходят в нижнюю долину, что приводит к росту тока. Периодические колебания наблюдаются обычно в тонких образцах, что связано с механизмом возникновения повышенного сопротивления в полупроводниках. Чем больше напряженность поля, тем сильнее происходит процесс переброса электронов в верхние долины, но чем больше электронов перебрасывается в верхнюю долину, тем больше сопротивление в данной области полупроводника и тем большее напряжение падает на ней, что приводит к уменьшению поля в соседних областях полупроводника. Как показывают наблюдения, области повышенного сопротивления зарождаются у катода и перемещаются к аноду. [33]
Одно из объяснений эффекта Ганна может состоять в следующем. При наложении электрического поля электроны переходят в более высокие энергетические состояния, температура электронного газа повышается. Предположим, что зона проводимости имеет минимумы энергии, лежащие выше абсолютного минимума и имеющие значительно большую эффективную массу, чем в нижнем минимуме, подобно тому, как это изображено на рис. 42 для арсенида галлия. Взаимодействуя с фононами, электроны могут быть переброшены в верхние долины. Так как плотность состояний в верхней долине превосходит плотность состояний нижней долины, то электроны будут накапливаться в верхней долине. Но подвижность электронов верхней долины значительно меньше подвижности электронов нижней долины, поэтому дрейфовая скорость электронов уменьшается, их вклад в проводимость уменьшается, и ток падает. Состояния в верхней долине являются неустойчивыми; электроны, взаимодействуя с фононами, переходят в нижнюю долину, что приводит к росту тока. [34]
Одно из объяснений эффекта Ганна может состоять в следующем. При наложении электрического поля электроны переходят в более высокие энергетические состояния, температура электронного газа повышается. Предположим, что зона проводимости имеет минимумы энергии, лежащие выше абсолютного минимума и имеющие значительно большую эффективную массу, чем в нижнем минимуме, подобно тому, как это изображено на рис. 42 для арсенида галлия. Взаимодействуя с фононами, электроны могут быть переброшены в верхние долины. Так как плотность состояний в верхней долине превосходит плотность состояний нижней долины, то электроны будут накапливаться в верхней долине. Но подвижность электронов верхней долины значительно меньше подвижности нижней долины, поэтому дрейфовая скорость электронов уменьшается, их вклад в проводимость уменьшается, и ток падает. Состояния в верхней долине являются неустойчивыми; электроны, взаимодействуя с фононами, переходят в нижнюю долину, что приводит к росту тока. Периодические колебания наблюдаются обычно в тонких образцах, что связано с механизмом возникновения повышенного сопротивления в полупроводниках. Чем больше напряженность поля, тем сильнее происходит процесс переброса электронов в верхние долины, но чем больше электронов перебрасывается в верхнюю долину, тем больше сопротивление в данной области полупроводника и тем большее напряжение падает на ней, что приводит к уменьшению поля в соседних областях полупроводника. Как показывают наблюдения, области повышенного сопротивления зарождаются у катода и перемещаются к аноду. [35]
Одно из объяснений эффекта Ганна может состоять в следующем. При наложении электрического поля электроны переходят в более высокие энергетические состояния, температура электронного газа повышается. Предположим, что зона проводимости имеет минимумы энергии, лежащие выше абсолютного минимума и имеющие значительно большую эффективную массу, чем в нижнем минимуме, подобно тому, как это изображено на рис. 42 для арсенида галлия. Взаимодействуя с фононами, электроны могут быть переброшены в верхние долины. Так как плотность состояний в верхней долине превосходит плотность состояний нижней долины, то электроны будут накапливаться в верхней долине. Но подвижность электронов верхней долины значительно меньше подвижности электронов нижней долины, поэтому дрейфовая скорость электронов уменьшается, их вклад в проводимость уменьшается, и ток падает. Состояния в верхней долине являются неустойчивыми; электроны, взаимодействуя с фононами, переходят в нижнюю долину, что приводит к росту тока. [36]
Одно из объяснений эффекта Ганна может состоять в следующем. При наложении электрического поля электроны переходят в более высокие энергетические состояния, температура электронного газа повышается. Предположим, что зона проводимости имеет минимумы энергии, лежащие выше абсолютного минимума и имеющие значительно большую эффективную массу, чем в нижнем минимуме, подобно тому, как это изображено на рис. 42 для арсенида галлия. Взаимодействуя с фононами, электроны могут быть переброшены в верхние долины. Так как плотность состояний в верхней долине превосходит плотность состояний нижней долины, то электроны будут накапливаться в верхней долине. Но подвижность электронов верхней долины значительно меньше подвижности нижней долины, поэтому дрейфовая скорость электронов уменьшается, их вклад в проводимость уменьшается, и ток падает. Состояния в верхней долине являются неустойчивыми; электроны, взаимодействуя с фононами, переходят в нижнюю долину, что приводит к росту тока. Периодические колебания наблюдаются обычно в тонких образцах, что связано с механизмом возникновения повышенного сопротивления в полупроводниках. Чем больше напряженность поля, тем сильнее происходит процесс переброса электронов в верхние долины, но чем больше электронов перебрасывается в верхнюю долину, тем больше сопротивление в данной области полупроводника и тем большее напряжение падает на ней, что приводит к уменьшению поля в соседних областях полупроводника. Как показывают наблюдения, области повышенного сопротивления зарождаются у катода и перемещаются к аноду. [37]
Одно из объяснений эффекта Ганна может состоять в следующем. При наложении электрического поля электроны переходят в более высокие энергетические состояния, температура электронного газа повышается. Предположим, что зона проводимости имеет минимумы энергии, лежащие выше абсолютного минимума и имеющие значительно большую эффективную массу, чем в нижнем минимуме, подобно тому, как это изображено на рис. 42 для арсенида галлия. Взаимодействуя с фононами, электроны могут быть переброшены в верхние долины. Так как плотность состояний в верхней долине превосходит плотность состояний нижней долины, то электроны будут накапливаться в верхней долине. Но подвижность электронов верхней долины значительно меньше подвижности нижней долины, поэтому дрейфовая скорость электронов уменьшается, их вклад в проводимость уменьшается, и ток падает. Состояния в верхней долине являются неустойчивыми; электроны, взаимодействуя с фононами, переходят в нижнюю долину, что приводит к росту тока. Периодические колебания наблюдаются обычно в тонких образцах, что связано с механизмом возникновения повышенного сопротивления в полупроводниках. Чем больше напряженность поля, тем сильнее происходит процесс переброса электронов в верхние долины, но чем больше электронов перебрасывается в верхнюю долину, тем больше сопротивление в данной области полупроводника и тем большее напряжение падает на ней, что приводит к уменьшению поля в соседних областях полупроводника. Как показывают наблюдения, области повышенного сопротивления зарождаются у катода и перемещаются к аноду. [38]