Атом - мишень
Cтраница 3
Систематизируя обширный экспериментальный материал, полученный при изучении различных групп реакций глубокого расщепления1 в области массовых чисел атомов мишеней 51 - 75, С. [31]
 |
Схемы устройств быстрой закалки расплава. а - на внутренней поверхности цилиндра. б - между вращающимися валиками. в - на внешней поверхности цилиндра. [32] |
При этом способе ионы инертных газов, имеющие высокую энергию, распыляют приповерхностные слои специальных мишеней, после чего атомы мишени принудительно осаждают на интенсивно охлаждаемую подложку. Способ эффективен для получения аморфных пленок ия1гпокрытий, обладает высокой производительностью ( до 0 02 мкм / с) и позволяет получать покрытия толщиной до 5 мм. Ионно-плазменным распылением были получены аморфные пленки химических составов SrrisCoi. [33]
Ионы, ускоренные до средних и высоких энергий, при внедрении в решетку твердого тела взаимодействуют с ядрами и электронными оболочками атомов мишени, теряют свою энергию и тормозятся до скоростей тепловой диффузии при температуре решетки. Различают два механизма энергетических потерь ускоренного иона в твердом теле: ядерные ( упругие) столкновения, когда ион взаимодействует с атомом мишени как с единым целым и его энергия переходит в энергию поступательного движения атомов мишени, и электронные ( неупругие) столкновения, при которых ион взаимодействует с электронной оболочкой атома мишени и расходует свою энергию на ионизацию или возбуждение атома. [34]
 |
Фотоэлектронный спектр воздуха. Фрагменты показаны при более высокой чувствительности. [35] |
Схема, аналогичная построенной на рис. 12 - 1 для электромагнитного излучения, показывает, что и при бомбардировке электронами степень воздействия на атомы мишени определяется энергией бомбардирующего потока. [36]
Уравнение ( 63) справедливо при условии, что поток и средняя энергия частиц, проходящих через образец, а также общее число атомов облучаемой мишени остаются постоянными в течение всей активации. [37]
Характерной особенностью процесса реактивного распыления является образование соединений типа АВ в результате взаимодействия ионов реактивного газа В ( О2, N2) с атомами мишени А. Реактивный газ вводится в рабочую камеру и активируется газовым разрядом. [38]
Для энергии свыше 10 Мэв электрический заряд осколка деления составляет около 10, а часть рассеянной энергии в результате смещения убывает с увеличением массы атома мишени. [39]
Любой реальный процесс взаимодействия излучения с веществом так же, как и любой эксперимент по рассеянию, носит характер взаимодействия пучка частиц о большим числом атомов мишени. Эго требует статистического подхода при экспериментальном и теоретическом изучении возникающих явлений. Основой такого подхода должны служить вероятность рассеяния первичных частиц на определенный угол и вероятность выбивания ПВА в данном направлении. [40]
Первый этап всех процессов - элементарный акт столкновения попа с атомом твердого тела, результатом к-рого является перераспределение энергии и импульса бомбардирующего иона между рассеянным ионом и атомом мишени. Акт столкновения приводит к возникновению протяженных последовательностей СТОлКЕшвений ( напр. [41]
Мишень распыляется в основном по двум механизмам: 1) выбивание частицы ( атома) происходит в результате прямой передачи импульса от ударяющего иона к поверхностному атому или атомам мишени; 2) энергия, выделяющаяся в зоне удара, создает условия, сходные с термическим испарением материала в вакууме. [42]
Иообще, нрактпчеекий выход продуктов ядерных реакций, вызываемых заряженными частицами, всегда возрастает с энергией последних, так как частица с, большой энергией, подвергаясь торможению в результате ионизации атомов мишени, дольше сохраняет энергию, превышающую величину потенциального барьера или близкую к ней. [43]
 |
Траектории каналированных частиц в зависимости от угла влета в кристалл в 0 ( а, S ОкрС в 0кр ( в, 0 0Кр ( г и рассеяние частиц на дефектах ( д. [44] |
Им было показано, что основные особенности явлений в случае тяжелых частиц ( протоны, а-частицы, и др.) могут быть предсказаны в рамках классической механики на основе рассмотрения акта взаимодействия налетающей частицы с цепочкой упорядочение расположенных атомов мишени. Сущность эффекта теней состоит в том, что заряженные частицы, падающие на монокристаллическую мишень, испытывают взаимодействие с ядрами атомов, расположенных в узлах решетки кристалла. Упруго рассеянные частицы разлетаются в разные стороны, в том числе и в направлениях, близких к направлениям кристаллографических осей, где испытывают дополнительное кулоновское рассеяние на ближайших ядрах цепочки и отклоняются от своего первоначального направления. Таким образом, направления кристаллографических осей оказываютсй закрытыми для вылета частиц, упруго рассеянных на узлах решетки. Напротив, если первичное рассеяние произошло на ядрах, находящихся между атомными цепочками кристалла, или атомах, упруго смещенных от нормальных положений в решетке ( например, в области ядра дислокаций), то для таких рассеянных частиц движение в направлении соответствующей кристаллографической оси открыто. [45]
Страницы: 1 2 3 4