Атом - пленка
Cтраница 1
Атомы пленки должны обладать относительно низкой химической активностью по отношению к остаточным газам прибора. [1]
Скорость испарения атомов пленки при рабочей температуре катода должна быть возможно меньшей. [2]
Так как испарение атомов пленки и ее разрушение ионной бомбардировкой являются неизбежными процессами во время работы катода, то необходимо обеспечение возобновления пленки в процессе работы. Иначе говоря, система должна обеспечивать поступление на поверхность атомов активирующего металла взамен уходящих с поверхности. [3]
В действительности, после столкновения атомов пленки с подложкой возможна их некоторая поверхностная диффузия. В результате всегда появляется возможность занять те места в кристаллической решетке пленки, которые ранее оставались пустыми. Миграция по поверхности из-за заполнения впадин и выравнивания бугорков может привести к уменьшению площади поверхности и к уменьшению поверхностной энергии. [4]
 |
Значения величин С и ф.| Образец текста пояснительной записки. [5] |
Образование на поверхности металла мономолекулярных пленок некоторых веществ сопровождается поляризацией атомов пленки или ионизацией и вследствие этого возникновением ускоряющего электрического поля, снижающего работу выхода ф электронов из катода. [6]
Эпитаксиальный слой, как и подложка, состоит из кремния, причем атомы пленки продолжают монокристаллическую структуру подложки. [7]
 |
Потенциальный барьер на границе металл - вакуум. / - без внешнего электрического поля.. - при наличии внешнего ускоряющего электрического поля.| Энергетическая диаграмма оксидного катода. [8] |
Образование на поверхности металла мономолекулярных пленок электроположительных по отношению к нему веществ сопровождается поляризацией атомов пленки и вследствие этого снижением работы выхода электронов из катода. Наиболее распространенными пленочными катодами являются катоды из то-рированных вольфрама и молибдена. [9]
 |
Образование дислокаций в рс-зу Л та. е несоответствия смещений ре - Ш ок в трех срастающихся островках. [10] |
Так как подложка и пленка обычно имеют разные параметры решетки, это приводит к смещениям атомов пленки и подложки друг относительно друга, разным в разных островках. [11]
 |
Зависимость работы выхода катодов W - Ва, W - Cs, W - Th от степени покрытия. [12] |
При 610 равновесие устанавливается на плотности покрытия, несколько большей, чем оптимальная, а при 570 число атомов пленки все время растет, эмиссия уменьшается и равновесия в пределах, показанных на рисунке, нет. При 990 К ( кривая 4) равновесие устанавливается гораздо раньше, чем достигается оптимальное покрытие, и поэтому эмиссионный ток меньше, хотя температура катода выше. [13]
В высоковакуумных приборах для нанесения и возобновления пленки используется диффузия атомов покрытия изнутри катода на его поверхность. Как диффузия на поверхность, так и испарение атомов пленки с поверхности зависят от температуры, но в различной степени и в одном интервале температур преобладает диффузия, а в другом испарение. [14]
Состав и давление остаточных газов имеют первостепенное значение в процессе формирования остаточного активированного состояния. Активные газы и пары ( О2, Н2О, СО, углеводы), содержащиеся в атмосфере остаточных газов, прочно соединяются с атомами пленки, образуя примесные комплексы, которые замуровываются в объеме частиц. Эти примесные центры в дальнейшем играют роль стопоров, препятствующих переходу к равновесному состоянию. Последнее обстоятельство достаточно наглядно было проиллюстрировано в [39] при описании действия кислорода на закономерности формирования пленок Си, № и пермаллоя. [15]
Страницы: 1 2