Атом - примесь
Cтраница 1
Атомы примесей в этом случае называют атомами-акцепторами. Акцепторные уровни располагаются несколько выше верхнего края валентной зоны основного кристалла. [1]
Атомы примеси диффундируют с поверхности образца в глубь материала, создавая диффузионный слой, толщину которого изменением температуры и времени можно регулировать с точностью до десятых долей микрона. [2]
 |
Потенциальная ( а и энергетическая ( б диаграммы беспримесного полупроводника. [3] |
Атомы примесей обычно замещают в узлах кристаллической решетки атомы основного вещества, образуя дефекты замещения. [4]
Атом примеси, растворенный в металле, как правило, несет эффективный электрический заряд, отличающийся от основного заряда металла, поэтому он будет служить источником рассеяния электронов. [5]
Атом примеси, потерявший электрон, представляет собой положительно заряженную частицу, неподвижно закрепленную в данном месте решетки полупроводника. [6]
 |
Электронная проводимость полупроводника.| Энергетическая диаграмма полупроводника с донором. [7] |
Атомы примеси замещают в узлах кристаллической решетки атомы основного вещества и принимают на себя их парные связи с соседними атомами. Для этих связей оказываются задействованными только 4 валентных электрона атома примеси. [8]
Атомы примесей искажают кристаллическую решетку, что затрудняет перемещение электронов, а это приводит к уменьшению электропроводимости. [9]
Атом примеси - точечный дефект кристалла, который характеризуется наличием в кристаллической решетке примесных атомов, отличающихся от атомов, составляющих тело кристалла. Примесный атом может присутствовать в кристалле в качестве атомл, внедренного в междоузлие, или же в качестве атома, заместившего различные атомы кристалла. [10]
Атомы примесей, как правило, распределены в кристаллической решетке металла-основы неравномерно. Примесные атомы скапливаются около структурных несовершенств - вакансий, дислокаций, границ зерен. Поэтому в отдельных участках кристалла содержание примесей может во много раз превышать среднюю концентрацию. Действие примесей на свойства металла из-за этого резко усиливается. [11]
 |
Потенциальная ( а и энергетическая ( б диаграммы беспримесного полупроводника. [12] |
Атомы примесей обычно замещают в узлах кристаллической решетки атомы основного вещества, образуя дефекты замещения. [13]
 |
Шариковая модель структуры кристалла. Видны вакантные места и дислокации. [14] |
Атомы примеси вызывают такие изменения свободной энергии ( термодинамического потенциала), каких не может быть в идеальном кристалле. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5