Атом - примесь - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Оригинальность - это искусство скрывать свои источники. Законы Мерфи (еще...)

Атом - примесь

Cтраница 2


Атомы примеси в кристалле находятся частично в нейтральном состоянии, а некоторая их доля представляет собой положительные и отрицательные ионы соответственно доноров и акцепторов.  [16]

17 Решетка кремния с примесью трехвалентных атомов. [17]

Атомы примеси, поставляющие электроны проводимости, называются донорами.  [18]

Атом примеси, потерявший электрон, представляет собой положительно заряженную частицу, неподвижно закрепленную в данном месте решетки полупроводника.  [19]

20 Микроструктура сплава ( 65 % Си и 35 % Zn. Образец растянут при напряжении 0 1 кГ / ммг. Видны пятна травления в местах выхода дислокаций на линии скольжения. [ Рабинович М. X., Прочность и сверхпрочность металлов, Изд-во АН СССР, 19631. [20]

Атомы примесей, находящихся как в растворенном состоянии в основном металле ( раствор внедрения или замещения), так и в виде включений с границей раздела, тормозят перемещение дислокаций. Степень этого торможения зависит от размеров включения и их числа.  [21]

Атомы примеси обычно значительно легче растворяются в жидкости, чем в твердом теле. Поэтому на границе расплавленной зоны атомы примеси из твердых участков переходят в расплавленную зону и не переходят обратно. Передвигающаяся расплавленная зона как бы тащит атомы примеси вместе с расплавом. При обратном ходе печь выключается и операция протаскивания расплавленной зоны через пруток металла многократно повторяется.  [22]

Атомы примеси необязательно ионизированы.  [23]

24 Кристаллическая решетка кремния с атомом. [24]

Атомы примеси, способные образовывать дырки, называются акцепторными примесями, или акцепторами.  [25]

Атомы примеси образуют в полупроводниках энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне. Эти атомы служат ловушками захвата, если они способны захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением, и рекомбина-ционными ловушками, если на них происходит нейтрализация захваченных носителей заряда. Как правило, рекомбинационные ловушки характеризуются более глубокими энергетическими уровнями.  [26]

Атомы примеси обычно значительно легче растворяются в жидкости, чем в твердом теле. Поэтому на границе расплавленной зоны атомы примеси из твердых участков переходят в расплавленную зону и не переходят обратно. Передвигающаяся расплавленная зона как бы тащит атомы примеси вместе с расплавом. При обратном ходе печь выключается и операция протаскивания расплавленной зоны через пруток металла многократно повторяется. После достаточного числа циклов остается лишь отпилить загрязненный конец прутка. Сверхчистые материалы получают в вакууме или в атмосфере инертного газа.  [27]

Атомы примеси обычно значительно легче растворяются в жидкости, чем в твердом теле. Поэтому на границе расплавленной зоны атомы примеси из твердых участков переходят в расплавленную зону и не переходят обратно. Передвигающаяся расплавленная зона как бы тащит атомы примеси вместе с расплавом. При обратном ходе печь выключается и операция протаскивания расплавленной зоны через пруток металла многократно повторяется. После достаточного числа циклов остается лишь отпилить загрязненный конец прутка. Сверхчистые материалы получают в вакууме или в атмосфере инертного газа.  [28]

Атом примеси, локализованный в положении т 0, а также падающая, отраженная и проходящая волны, распространяющиеся, как показано на рисунке.  [29]

Атомы примесей сосредоточены в узком приповерхностном слое. Для окончательного формирования диффузионного слоя введенную примесь подвергают перераспределению на втором этапе, называемом разгонкой примесей. Подачу диффузанта прекращают, примеси распространяются вглубь при N const, поверхностная концентрация WnoB уменьшается, а толщина слоя возрастает.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5