Cтраница 2
Атомы примеси в кристалле находятся частично в нейтральном состоянии, а некоторая их доля представляет собой положительные и отрицательные ионы соответственно доноров и акцепторов. [16]
Решетка кремния с примесью трехвалентных атомов. [17] |
Атомы примеси, поставляющие электроны проводимости, называются донорами. [18]
Атом примеси, потерявший электрон, представляет собой положительно заряженную частицу, неподвижно закрепленную в данном месте решетки полупроводника. [19]
Атомы примесей, находящихся как в растворенном состоянии в основном металле ( раствор внедрения или замещения), так и в виде включений с границей раздела, тормозят перемещение дислокаций. Степень этого торможения зависит от размеров включения и их числа. [21]
Атомы примеси обычно значительно легче растворяются в жидкости, чем в твердом теле. Поэтому на границе расплавленной зоны атомы примеси из твердых участков переходят в расплавленную зону и не переходят обратно. Передвигающаяся расплавленная зона как бы тащит атомы примеси вместе с расплавом. При обратном ходе печь выключается и операция протаскивания расплавленной зоны через пруток металла многократно повторяется. [22]
Атомы примеси необязательно ионизированы. [23]
Кристаллическая решетка кремния с атомом. [24] |
Атомы примеси, способные образовывать дырки, называются акцепторными примесями, или акцепторами. [25]
Атомы примеси образуют в полупроводниках энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне. Эти атомы служат ловушками захвата, если они способны захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением, и рекомбина-ционными ловушками, если на них происходит нейтрализация захваченных носителей заряда. Как правило, рекомбинационные ловушки характеризуются более глубокими энергетическими уровнями. [26]
Атомы примеси обычно значительно легче растворяются в жидкости, чем в твердом теле. Поэтому на границе расплавленной зоны атомы примеси из твердых участков переходят в расплавленную зону и не переходят обратно. Передвигающаяся расплавленная зона как бы тащит атомы примеси вместе с расплавом. При обратном ходе печь выключается и операция протаскивания расплавленной зоны через пруток металла многократно повторяется. После достаточного числа циклов остается лишь отпилить загрязненный конец прутка. Сверхчистые материалы получают в вакууме или в атмосфере инертного газа. [27]
Атомы примеси обычно значительно легче растворяются в жидкости, чем в твердом теле. Поэтому на границе расплавленной зоны атомы примеси из твердых участков переходят в расплавленную зону и не переходят обратно. Передвигающаяся расплавленная зона как бы тащит атомы примеси вместе с расплавом. При обратном ходе печь выключается и операция протаскивания расплавленной зоны через пруток металла многократно повторяется. После достаточного числа циклов остается лишь отпилить загрязненный конец прутка. Сверхчистые материалы получают в вакууме или в атмосфере инертного газа. [28]
Атом примеси, локализованный в положении т 0, а также падающая, отраженная и проходящая волны, распространяющиеся, как показано на рисунке. [29]
Атомы примесей сосредоточены в узком приповерхностном слое. Для окончательного формирования диффузионного слоя введенную примесь подвергают перераспределению на втором этапе, называемом разгонкой примесей. Подачу диффузанта прекращают, примеси распространяются вглубь при N const, поверхностная концентрация WnoB уменьшается, а толщина слоя возрастает. [30]